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使用超低壓 MOSFET 陣列進行電路設計-EPAD MOSFET參數介紹
EPAD MOSFET 是一種有源器件，可在大量設計中用作基本電路元件。有許多電路可以利用它們。使用這些 EPAD MOSFET 器件的潛在設計和用途的數量僅受設計人員的需求和想象力的限制。
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使用超低壓 MOSFET 陣列進行電路設計-亞閾值電壓操作
在閾值電壓或低于閾值電壓時，EPAD MOSFET 在稱為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導通道根據施加的柵極電壓快速關閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數下降，因此導致漏極電流呈指數下降。然而，通道不會隨著柵極電壓的降低而突然關閉，而是以每十倍電流下降約 110 mV 的固定速率下降。
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使用超低壓 MOSFET 陣列進行電路設計-增強型 EPAD MOSFET
ALD1148xx/ALD1149xx 產品是耗盡型 EPAD MOSFET，當柵極偏置電壓為 0.0V 時，它們是常開器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關斷的負電壓。提供負閾值，例如 –0.40V、-1.30V 和 –3.50V。在沒有電源電壓且 Vgs = 0.0V 的情況下，這些 EPAD MOSFET 器件已經開啟，并且在源極和漏極端子之間表現(xiàn)出受控的導通電阻。
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使用超低壓 MOSFET 陣列進行電路設計-“零閾值”模式設備
尋求在電路設計中實現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并可能阻止他們最大限度地擴大可用電壓范圍，否則會使新電路取得成功。
