在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前,高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)?,F(xiàn)如今,基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on),同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷,這有助于在高頻
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