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國產IP如何突出重圍？
IP是芯片產業(yè)的根技術，但除了半導體領域的業(yè)內人士，很少有人知道IP是什么、能做什么。如果把一顆芯片打開，就能從它的版圖上看到很多個IP組成了整個電路。這些集成電路IP核在芯片設計中，物理上能夠看得到摸得著，也能夠完成一定功能。更重要的是，IP是可以重復利用的，不光可以通過授權方式給到A客戶，也可以用到B客戶產品中。
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存儲IP的差異化路線
2021年，美國，韓國、日本、歐盟等已經陸續(xù)提出“芯片自主”規(guī)劃，均在計劃加大投資，想要實現本國半導體或者本地區(qū)的獨立自主能力。聚焦國內，芯片產業(yè)長期處于科技行業(yè)的短板，這使得包括華為在內的國內智能設備制造商始終受制于人。
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多次可編程非易失性存儲器的數據保持能力測試及其激活能分析
基于180 nm BCD工藝平臺設計開發(fā)了32 Kibit的多次可編程(MTP)非易失性存儲器(NVM)。詳細描述了存儲單元的結構設計特點、操作機理及影響非易失性的關鍵因素。測試并量化了其在高溫條件下的數據保持能力，并根據Arrhenius模型設計了高溫老化試驗，進而計算其浮柵上電荷泄漏的激活能。經過104次重復編程和擦除循環(huán)后，MTP NVM樣品的高溫數據保持(HTDR)能力驗證結果表明該MTP NVM產品具有很好的可靠性。通過高溫老化加速試驗，計算出分別在100、125和150 ℃條件下3個樣品的數據保持時間，并對1/T與數據保持時間曲線進行數學擬合，計算出在該180 nm BCD工藝平臺下浮柵上電荷泄漏的激活能。
