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MOSFET的應(yīng)用電路你都了解嗎？MOSFET在什么應(yīng)用條件要考慮雪崩能量？
一直以來，MOSFET都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞰OSFET的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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功率MOSFET的雪崩現(xiàn)象了解嗎？功率MOSFET特性解讀
功率MOSFET將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象，通過這篇文章，小編希望大家可以對(duì)功率MOSFET的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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MOS管損壞之謎，終于解開了！
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
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MOSFET器件的選擇技巧
小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇MOS管時(shí)，一定要依據(jù)電路設(shè)計(jì)需求及MOS管工作場(chǎng)所來選取合適的MOS管，從而獲得最佳的產(chǎn)品設(shè)計(jì)體驗(yàn)。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線)
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根據(jù)雪崩性能選擇肖特基二極管
汽車電子模塊要求采取反向電池保護(hù)措施，以避免不良電池操作可能導(dǎo)致的損壞風(fēng)險(xiǎn)。肖特基二極管是這種應(yīng)用的首選器件，因?yàn)樗鼈兙哂泻艿偷那跋驂航敌阅?。雖然肖特基二極管能
