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DDR內(nèi)存會很快被HBM內(nèi)存淘汰嗎？
這一年來有關(guān)國內(nèi)公司進(jìn)軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息甚囂塵上，紫光公司憑借原有的英飛凌、奇夢達(dá)基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上已經(jīng)作出了突破，小批量生產(chǎn)了DDR3內(nèi)存，下半年還會推出更主流的DDR4內(nèi)存芯片，正在努力追趕國際主流水平。但是放眼整個內(nèi)存市場，DDR5內(nèi)存很快就要來了，更可怕的是未來即便是DDR5內(nèi)存也很可能被更新的技術(shù)淘汰，業(yè)界已經(jīng)有人提出了DDR內(nèi)存將死的看法，未來需要高帶寬的產(chǎn)品將轉(zhuǎn)向HBM內(nèi)存，2020年會有HBM 3內(nèi)存，2024年則會有HBM 4內(nèi)存，屆時帶寬可達(dá)8TB/s，單插槽容量可達(dá)512GB。
