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3D封裝是國內(nèi)封測業(yè)絕佳機(jī)會
近幾年來，“中國空芯化”問題引起社會關(guān)注。據(jù)統(tǒng)計，芯片年進(jìn)口額近2000億美元。芯片是手機(jī)、電腦、汽車、家用電器等產(chǎn)品的“大腦”，而以芯片為主的集成電路80%的需求量依賴進(jìn)口。如果“大腦”的控制權(quán)不在我們手中
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中國電子報：3D封裝 是國內(nèi)封測業(yè) 絕佳機(jī)會
慕容素娟 近幾年來，“中國空芯化”問題引起社會關(guān)注。據(jù)統(tǒng)計，芯片年進(jìn)口額近2000億美元。芯片是手機(jī)、電腦、汽車、家用電器等產(chǎn)品的“大腦”，而以芯片為主的集成電路80%的需求量依賴進(jìn)口。如果“大腦”的控制權(quán)
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碩貝德(300322)進(jìn)軍集成電路3D封裝
□本報記者 傅豪碩貝德（300322）公告，公司擬利用自有資金6300萬元，與蘇州市澄和創(chuàng)業(yè)投資有限公司等共同向蘇州科陽光電科技有限公司增資，在科陽光電原有在建廠房基礎(chǔ)上進(jìn)行改造升級，建設(shè)半導(dǎo)體集成電路3D先進(jìn)封裝
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沖20/16nm+3D封裝 大和估臺積明年CAPEX再創(chuàng)高
臺積(2330)法說將于明(17日)登場，除Q4營收的季減幅度外，明年的資本支出(CAPEX)再度成為市場關(guān)注焦點。對此，外資大和(Daiwa)出具最新報告指出，看好臺積因南科Fab 14的20/16奈米制程擴(kuò)產(chǎn)腳步不停歇，加上持續(xù)投入資
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銅核球?qū)崿F(xiàn)3D封裝和窄間距封裝技術(shù)
近年來，以智能型手機(jī)為代表的行動裝置產(chǎn)品在市場上的需求迅速地擴(kuò)大，這些小型化、多功能產(chǎn)品的發(fā)展十分顯著。隨著這些發(fā)展，因應(yīng)小型化、窄間距化、多針化的封裝電子零件制造要求也應(yīng)運而生。為了滿足這些需求，發(fā)
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銅核球?qū)崿F(xiàn)3D封裝和窄間距封裝技術(shù)
近年來，以智慧型手機(jī)為代表的行動裝置產(chǎn)品在市場上的需求迅速地擴(kuò)大，這些小型化、多功能產(chǎn)品的發(fā)展十分顯著。隨著這些發(fā)展，因應(yīng)小型化、窄間距化、多針化的封裝電子零件制造要求也應(yīng)運而生。 為了滿足這些需求
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IC業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革 面臨三大難題
半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點來說，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。
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IC業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革 面臨三大難題
半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點來說，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。
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半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革
半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點來說，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。
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半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革
半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點來說，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。
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半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革
半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點來說，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時在10nm徘徊。
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3D IC封裝制程日漸成熟 臺系廠商開辟新機(jī)會
長久以來，晶片封裝材料產(chǎn)業(yè)多為國際大廠所把持，隨著3D IC封裝制程逐步成熟，也為臺系封裝材料廠商開辟了新的機(jī)會。工研院IEK產(chǎn)業(yè)分析師張致吉指出，國產(chǎn)的半導(dǎo)體封裝設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)邁入新的封裝技術(shù)領(lǐng)域，前期可采
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芯片制造和封裝業(yè)競爭中求生存 技術(shù)和模式亟待升級
我國芯片制造代工業(yè)由于技術(shù)和投資的瓶頸，已落后于我國集成電路設(shè)計業(yè)快速發(fā)展的步伐，無法充分滿足國內(nèi)芯片代工市場的需求。芯片制造業(yè)、封裝業(yè)的另一個迫切問題是如何轉(zhuǎn)型升級。東部沿海制造、封裝企業(yè)在喪失地域
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芯片制造業(yè)和封裝業(yè)面臨轉(zhuǎn)型升級
我國芯片制造代工業(yè)由于技術(shù)和投資的瓶頸，已落后于我國集成電路設(shè)計業(yè)快速發(fā)展的步伐，無法充分滿足國內(nèi)芯片代工市場的需求。芯片制造業(yè)、封裝業(yè)的另一個迫切問題是如何轉(zhuǎn)型升級。東部沿海制造、封裝企業(yè)在喪失地域
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集成電路：增長平穩(wěn) 進(jìn)入深度轉(zhuǎn)型期
核心提示 展望2013年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速將周期性回升，隨著國發(fā)4號文實施細(xì)則的逐步出臺及落實，我國集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入深度轉(zhuǎn)型時期，產(chǎn)業(yè)發(fā)展將以調(diào)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)方向為重點，產(chǎn)業(yè)規(guī)模增長速度將企穩(wěn)回升。但隨著國際
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關(guān)注問題：芯片制造業(yè)和封裝業(yè)如何轉(zhuǎn)型升級
我國芯片制造代工業(yè)由于技術(shù)和投資的瓶頸，已落后于我國集成電路設(shè)計業(yè)快速發(fā)展的步伐，無法充分滿足國內(nèi)芯片代工市場的需求。芯片制造業(yè)、封裝業(yè)的另一個迫切問題是如何轉(zhuǎn)型升級。東部沿海制造、封裝企業(yè)在喪失地域
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3D封裝材料技術(shù)及其優(yōu)點簡介
隨著移動電話等電子器件的不斷飛速增長，這些器件中安裝在有限襯底面積上的半導(dǎo)體封裝也逐漸變小變薄。3D封裝對減少裝配面積非常有效。此外，系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)(將二個或多個芯片安裝在一個封裝件中)對于提高處理速
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臺積電積極投入3D封裝技術(shù) 日月光不會直接競爭
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入20nm以下制程后，不但封測技術(shù)愈加困難、投資門坎也愈來愈高，IC封測龍頭廠日月光（2311）營運長吳田玉表示，臺積電（2330）本身就是看到這一點，才積極投入2.5D及3D IC封裝技術(shù)，不過雙方將不會形成直
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臺積搶進(jìn)3D封裝技術(shù) 日月光：不會直接競爭
【楊喻斐╱臺北報導(dǎo)】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入20奈米以下制程后，不但封測技術(shù)愈加困難、投資門檻也愈來愈高，IC封測龍頭廠日月光（2311）營運長吳田玉表示，臺積電（2330）本身就是看到這一點，才積極投入2.5D及3D IC封裝技術(shù)
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FPGA融合架構(gòu) 3D封裝成關(guān)鍵支撐技術(shù)
未來幾年，F(xiàn)PGA融合架構(gòu)的演進(jìn)還在持續(xù)，而這需硬件和軟件的“鼎力相助”。MishaBurich指出，3D封裝和OpenCL將是關(guān)鍵支撐技術(shù)。日前，Altera宣布采用TSMC的CoWoS(基底晶圓芯片生產(chǎn))技術(shù)，開發(fā)出全球首顆能
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