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4200smu

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【4200SMU應(yīng)用文章】之實(shí)例篇：支持千倍以上負(fù)載電容的靈敏測(cè)試

?使用長(zhǎng)電纜或電容夾頭的測(cè)試設(shè)置會(huì)增加測(cè)試儀器輸出的電容，導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果不準(zhǔn)確或不穩(wěn)定。當(dāng)輸出或掃描直流電壓并測(cè)量異常靈敏的低電流時(shí)，能觀察到這種效應(yīng)。

泰克科技（Tektronix）
2020-02-12

4200smu 負(fù)載電容靈敏測(cè)試
【4200SMU應(yīng)用文章】之實(shí)例篇：測(cè)量范德堡法電阻率和霍爾電壓

半導(dǎo)體材料研究和器件測(cè)試通常要測(cè)量樣本的電阻率和霍爾電壓。半導(dǎo)體材料的電阻率主要取決于體摻雜，在器件中，電阻率會(huì)影響電容、串聯(lián)電阻和閾值電壓。

泰克科技（Tektronix）
2020-01-15

霍爾電壓范德堡法電阻率 4200smu

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