CMOS開(kāi)關(guān)

一文學(xué)會(huì)高效比較CMOS開(kāi)關(guān)和固態(tài)繼電器性能

源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來(lái)衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)后，源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器)中常見(jiàn)的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常稱(chēng)為輸出電容COUT。CMOS開(kāi)關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)斷隔離度定義為，開(kāi)關(guān)關(guān)斷狀態(tài)下，耦合到漏極的源極的信號(hào)量。ADI將在本文討論如何從關(guān)斷隔離度推導(dǎo)出COUT，以及如何通過(guò)它來(lái)更有效地比較固態(tài)繼電器和CMOS開(kāi)關(guān)的性能。這一點(diǎn)很重要，因?yàn)镃MOS開(kāi)關(guān)適合許多使用固態(tài)繼電器的應(yīng)用，例如切換直流信號(hào)和高速交流信號(hào)。