CMP

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  • 晶圓拋光過程

    拋光過程隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片特征尺寸越來越小，互連層數(shù)越來越多，晶圓直徑也不斷增大。要實現(xiàn)多層布線，晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，而化學機械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術(shù)，它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD / CVD 一起被稱為 IC 制造最核心的五大關(guān)鍵技術(shù)。

  • 半導體制造關(guān)鍵工藝裝備CMP，國產(chǎn)裝備崛起

    CMP 設備是半導體制造的關(guān)鍵工藝裝備之一。CMP 是集成電路制造大生產(chǎn)上產(chǎn)出效率最高、技術(shù)最成熟、應用最廣泛的納米級全局平坦化表面制造設備，并且在較長時間內(nèi)不存在技術(shù)迭代周期。而且隨著芯片制造技術(shù)發(fā)展，CMP 工藝在集成電路生產(chǎn)流程中的應用次數(shù)逐步增加，將進一步增加 CMP 設備的需求。根據(jù) SEMI，2018 年全球 CMP設備的市場規(guī)模 18.42 億美元，約占晶圓制造設備 4%的市場份額，其中中國大陸 CMP 設備市場規(guī)模 4.59 億美元。另外，CMP 設備是使用耗材較多、核心部件有定期維保更新需求的制造設備之一;除了用于晶圓制造，CMP 還是晶圓再生工藝的核心設備之一，CMP 設備廠商有望向上游耗材、下游服務領(lǐng)域延伸。

  • 數(shù)據(jù)處理指令之： CMP比較指令

    CMP（Compare）比較指令使用寄存器Rn的值減去operand2的值，根據(jù)操作的結(jié)果更新CPSR中相應的條件標志位，以便后面的指令根據(jù)相應的條件標志來判斷是否執(zhí)行。

  • 高介電常數(shù)柵電介質(zhì)/金屬柵極的FA CMP技術(shù)

    高介電常數(shù)柵電介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)(以下簡稱HKMG)使摩爾定律在45/32納米節(jié)點得以延續(xù)。目前的HKMG工藝有兩種主流整合方案，分別是“先柵極”和“后柵極”?！昂髺艠O”又稱為可替換柵極(以下簡稱RMG)，使用該工藝時高介電常數(shù)柵電介質(zhì)無需經(jīng)過高溫步驟，所以VT偏移很小，芯片的可靠性更高。

  • 多核處理器的九大關(guān)鍵技術(shù)

    與單核處理器相比，多核處理器在體系結(jié)構(gòu)、軟件、功耗和安全性設計等方面面臨著巨大的挑戰(zhàn)，但也蘊含著巨大的潛能。CMP和SMT一樣，致力于發(fā)掘計算的粗粒度并行性。CMP可以看