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一種基于斬波調(diào)制的帶隙基準(zhǔn)電壓源
摘 要：為了消除由于晶體管不匹配產(chǎn)生的隨機(jī)失調(diào)對帶隙基準(zhǔn)源精度的影響，設(shè)計(jì)了一種采用斬波調(diào)制技術(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓源。該方法采用對稱性O(shè)TA的結(jié)構(gòu)來減小帶隙基準(zhǔn)電壓源的系統(tǒng)失調(diào)，并利用帶隙基準(zhǔn)核心電路中的與絕對溫度成正比（PTAT）的電流源為OTA提供自適應(yīng)偏置，從而較小了整個(gè)電路的功耗。通過基于0.35 μm CMOS工藝并使用CadenceSpectre工具對電路進(jìn)行仿真，結(jié)果表明：斬波頻率為100 Hz時(shí)，基準(zhǔn)電壓在室溫（27 ℃）的輸出為1.232 V，該帶隙基準(zhǔn)的供電電壓的范圍為1.4~3 V；在電壓為3 V時(shí)，在-40~125 ℃溫度范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為24.6 ppm/℃。
