EXB841

基于EXB841，你知道如何設(shè)計(jì)IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路嗎？

在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)基于EXB841的IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路予以介紹，如果IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

基于EXB841的IGBT 驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù).日本FUJI公司的EXB841芯片是一種典型的適用于300A以下IGBT的專用驅(qū)動(dòng)電路，具有單電源、正負(fù)偏壓、過(guò)流檢測(cè)、保護(hù)、軟

用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究

l 前言絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、

EXB841外接電路的方法

基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路研究

引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特

基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路研究

1 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的

臭氧電源驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

介紹了臭氧逆變電源的整體設(shè)計(jì)和IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)要求，指出了用EXB841直接驅(qū)動(dòng)IGBT時(shí)存在的問(wèn)題和不足，提出了應(yīng)用ExB84l設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的改進(jìn)用法，并將優(yōu)化電路成功應(yīng)用于臭氧電源中。