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全新一代FeRAM，堆疊技術(shù)與QSPI加持實(shí)現(xiàn)更高速更大容量體驗(yàn)
FeRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）最為獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在于它結(jié)合了非易失性和高速寫入性能，這種特性是其他存儲(chǔ)器無(wú)法同時(shí)具備的。與傳統(tǒng)的DRAM雖然都能實(shí)現(xiàn)高速讀寫，但后者在斷電后會(huì)丟失數(shù)據(jù)；而與Flash相比，盡管都具有非易失性，F(xiàn)lash的寫入速度卻遠(yuǎn)不及FeRAM。因此，F(xiàn)eRAM在能夠保存數(shù)據(jù)的同時(shí)，還能實(shí)現(xiàn)幾乎瞬時(shí)的寫入操作，成為存儲(chǔ)技術(shù)中獨(dú)一無(wú)二的存在。
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瞄準(zhǔn)智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，F(xiàn)eRAM以獨(dú)特性能發(fā)力智能物聯(lián)時(shí)代增量市場(chǎng)
存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動(dòng)下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時(shí)代，存儲(chǔ)器行業(yè)的“加速鍵”隨之開(kāi)啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計(jì)，自2019年以來(lái)，存儲(chǔ)器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè)，總體市場(chǎng)空間從2019年的1110億美元將增長(zhǎng)至2025年的1850億美元。細(xì)分市場(chǎng)中，以FeRAM(鐵電存儲(chǔ))和ReRAM(電阻式存儲(chǔ))為代表的新型存儲(chǔ)器市場(chǎng)增速最快，將從5億美元增長(zhǎng)到40億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到42%，發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>
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