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CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動(dòng)在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長(zhǎng)
2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵(GaN)功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金(BGF)、劍橋創(chuàng)新資本公司(CIC)、英國展望集團(tuán)(Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。
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使用GaN讓大功率使用環(huán)境中的設(shè)備保持合適的溫度
自從引入 USB-PD 規(guī)范及其演進(jìn)以來，用于為從手機(jī)到筆記本電腦等日常電子設(shè)備供電的電源適配器的格局發(fā)生了巨大變化。雖然USB-PD確保了廣泛的兼容性，但電源適配器設(shè)計(jì)變得更具挑戰(zhàn)性：現(xiàn)在，電源適配器必須支持廣泛的輸出電壓(與專用適配器的單一輸出電壓相反)。同時(shí)，最終用戶對(duì)更輕、更小適配器的需求仍在繼續(xù)。近年來引入了氮化鎵功率開關(guān)來滿足這些雙重要求。
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