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使用雙向 GaN 開關(guān)實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換
英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術(shù)，代表了電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)非凡創(chuàng)新，特別是在實(shí)現(xiàn)單級(jí)功率轉(zhuǎn)換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)兩級(jí)方法相比具有顯著優(yōu)勢。
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通過自動(dòng)動(dòng)態(tài)開關(guān)測試研究 p-GaN HEMT 上的電應(yīng)力
氮化鎵(GaN)基功率半導(dǎo)體在功率轉(zhuǎn)換方面具有許多優(yōu)勢。它們在許多應(yīng)用中的使用不斷增加，例如移動(dòng)設(shè)備的電源適配器和數(shù)據(jù)中心的電源。橫向高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是應(yīng)用最廣泛的 GaN 器件。該器件的退化機(jī)制已被廣泛研究并被納入可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)。
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雙向GaN功率IC有何用途？
雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應(yīng)用，從電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設(shè)備、電動(dòng)自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開關(guān)的應(yīng)用可能性示例。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受時(shí)間
在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換中采用寬帶隙 (WBG) 功率器件可以顯著提高系統(tǒng)效率和功率密度，并提供其他優(yōu)勢，例如更少的可聽噪聲和更快的切換帶來的更精確的控制。在這些應(yīng)用中，降低轉(zhuǎn)換損耗是實(shí)現(xiàn)凈零碳足跡以應(yīng)對氣候變化的關(guān)鍵部分，因?yàn)殡姍C(jī)驅(qū)動(dòng)器占總用電量的 60%。在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。
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集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過壓穩(wěn)定性
功率轉(zhuǎn)換器中使用的氮化鎵 (GaN) 器件具有多種優(yōu)勢，包括更高的效率、功率密度和高頻開關(guān)。橫向 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件在此類應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁的市場增長。這種本質(zhì)上為耗盡模式的器件的柵極驅(qū)動(dòng)具有挑戰(zhàn)性，有許多解決方案可以將其轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)健的增強(qiáng)模式操作。
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我們能獲得更好的音頻放大器嗎？是的，用氮化鎵！
音頻是一個(gè)復(fù)雜的應(yīng)用，尤其是對于發(fā)燒友領(lǐng)域各個(gè)層面的需求。最近，基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)規(guī)格已經(jīng)為更好利用D類放大器性能鋪平了道路。
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利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(上)
本文提出了一個(gè)預(yù)測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。
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利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(下)
本文提出了一個(gè)預(yù)測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。
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氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計(jì)上的獨(dú)特優(yōu)勢和成熟規(guī)模化的生產(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論壇上，這個(gè)主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”。富士
