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用離散的JFET在低噪聲電路中放大小信號
在低噪聲電路中放大傳感器產(chǎn)生的小信號是一個非常普遍但困難的問題。設計者通常會使用帶有雙極輸入的運算放大器來實現(xiàn)這種放大,因為他們固有的低閃爍(1/F)和寬帶噪聲。雙極OP安培提出了另一個挑戰(zhàn),當小信號感興趣是產(chǎn)生的傳感器的高源阻抗,不能提供足夠的電流到放大器的輸入。雙極OPS電流在納米安培范圍或更大范圍內(nèi)具有較高的輸入偏置電流,相對于它們的離子和結場效應晶體管(JFET)的輸入阻抗較低。
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場效應管工作原理詳解
場效應管(Field-Effect Transistor，簡稱FET)是一種重要的半導體器件，屬于電壓控制型的電子元件。它的工作原理基于電場對導電溝道中載流子(電子或空穴)的控制，以此來改變通道中的電流大小。根據(jù)導電溝道類型和工作機理的不同，場效應管主要分為結型場效應管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)和金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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正確選擇低噪聲放大器(LNA)
目前，有關低噪聲放大器的討論常常關注于RF/無線應用，但實際應用中，噪聲對于低頻模擬產(chǎn)品(如數(shù)據(jù)轉換器緩沖、應變儀信號放大和麥克風前置放大器)也有很大影響，是一項重要
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
CMOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來
