LMG2100

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  • 將功率密度卷出新高度，TI發(fā)布集成驅(qū)動(dòng)GaN LMG21/3100和汽車級(jí)隔離DC/DC UCC33420-Q1

    功率密度是電源設(shè)計(jì)的永恒話題，而隨著近年來(lái)各類創(chuàng)新應(yīng)用對(duì)于功率等級(jí)的提高，要在同樣甚至更小的體積中達(dá)成同樣的供電需求，就勢(shì)必要把功率密度推向更高的緯度。而追求電源設(shè)計(jì)功率密度的提升，最根本的是要從器件層面入手。對(duì)于電源芯片而言，提升功率密度絕非易事。在提升的同時(shí)，就會(huì)面對(duì)著來(lái)自散熱、EMI等因素帶來(lái)的反制。功率密度的提升絕非提高電壓電流那么簡(jiǎn)單，而是需要來(lái)自芯片前道的材料、工藝、電路設(shè)計(jì)和來(lái)自后道封裝的多方面配合。那么如何克服一系列的挑戰(zhàn)，將電源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日發(fā)布的100V GaN驅(qū)動(dòng)芯片LMG21/3100和隔離DC/DC UCC33420-Q1，我們可以從中找到答案。