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MOS元件

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東大等驗(yàn)證7μm的極薄晶圓也不會(huì)影響CMOS元件

東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開(kāi)發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯

模擬
2009-12-27

CMOS 晶圓 MOS元件 MOSFET
東大等驗(yàn)證7μm的極薄晶圓也不會(huì)影響CMOS元件

東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開(kāi)發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯片

模擬
2009-12-14

CMOS 晶圓 MOS元件 MOSFET