在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來(lái)便利,那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的鋰電池保護(hù)板嗎?
現(xiàn)在大街上隨處可見(jiàn)的LED顯示屏,還有裝飾用的LED彩燈以及LED車(chē)燈,處處可見(jiàn)LED燈的身影,LED已經(jīng)融入到生活中的每一個(gè)角落。在LED全彩顯示屏的工作當(dāng)中,驅(qū)動(dòng)IC的作用是接收符合協(xié)議規(guī)定的顯示數(shù)據(jù)(來(lái)自接收卡或者視頻處理器等信息源),在內(nèi)部生產(chǎn)PWM與電流時(shí)間變化,輸出與亮度灰度刷新等相關(guān)的PWM電流來(lái)點(diǎn)亮LED。驅(qū)動(dòng)IC和邏輯IC以及MOS開(kāi)關(guān)組成的周邊IC,共同作用于LED顯示屏的顯示功能并決定其呈現(xiàn)的顯示效果。
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一
電路功能與優(yōu)勢(shì)采用遠(yuǎn)程信號(hào)源時(shí),發(fā)生損害故障的可能性更大??赡芤蛳到y(tǒng)電源時(shí)序控制設(shè)計(jì)不當(dāng)或系統(tǒng)要求熱插拔而導(dǎo)致過(guò)壓。若未采取保護(hù)措施,因連接欠佳或感性耦合導(dǎo)致的瞬變電壓可能會(huì)損壞元件。另外,在電源發(fā)生
首先要進(jìn)行MOSFET的選擇,MOSFET有兩大類(lèi)型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí),電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間
摘要:本文研究了基于MOS固態(tài)開(kāi)關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問(wèn)題,通過(guò)分析其干擾信號(hào)頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz,4kV脈沖源,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的