在絕緣柵型場效應(yīng)管中,目前常用二氧化硅作金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層,稱為金屬一氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱為MOSFET或者MOS管。
器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝,柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平
你知道采用PowerPAK? 1212?8S封裝的-30 V P溝道MOSFET嗎?它有什么作用?日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號:VSH)推出新型-30 V p溝道TrenchFET?第四代功率MOSFET---SiSS05DN,器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝,10 V條件下導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的3.5 mW。
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適合汽車應(yīng)用