隨著科技的不斷進(jìn)步,數(shù)據(jù)存儲技術(shù)也在飛速發(fā)展。在眾多存儲技術(shù)中,PSRAM(Pseudo Static Random Access Memory,偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)以其獨(dú)特的優(yōu)勢,在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中逐漸嶄露頭角,成為取代傳統(tǒng)SRAM(Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的有力候選者。本文將從PSRAM的技術(shù)特點(diǎn)、性能優(yōu)勢以及實(shí)際應(yīng)用等方面,深入探討其在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中的潛力和價值。
愛普?UHS PSRAM擁有更強(qiáng)性能、低功耗、少引腳數(shù)特點(diǎn),瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場景 新竹2024年6月6日 /美通社/ -- 全球客制化存儲芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛普科技與硅知識產(chǎn)權(quán)(SIP)、平臺與IP設(shè)計(jì)服務(wù)供貨商Mobiveil今日宣布,已成功開發(fā)出專屬愛普的Ultr...
存儲器粗略的可以分為 存儲器一般分為以下四大類別: 1.非易發(fā)性(揮發(fā)性)存儲器,如NAND FLASH、NOR flash,主要特征是在存儲數(shù)據(jù)在掉電之后不會丟失,這類存儲器的
瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布開發(fā)出目前市場上最高容量的64 Mb先進(jìn)低功耗SRAM(先進(jìn)LPSRAM) R1WV6416R系列,以及小尺寸的32 Mb先進(jìn)LPSRAM產(chǎn)品R1LV3216R系列。