FeRAM(鐵電隨機存取存儲器)最為獨特的優(yōu)勢在于它結(jié)合了非易失性和高速寫入性能,這種特性是其他存儲器無法同時具備的。與傳統(tǒng)的DRAM雖然都能實現(xiàn)高速讀寫,但后者在斷電后會丟失數(shù)據(jù);而與Flash相比,盡管都具有非易失性,F(xiàn)lash的寫入速度卻遠(yuǎn)不及FeRAM。因此,F(xiàn)eRAM在能夠保存數(shù)據(jù)的同時,還能實現(xiàn)幾乎瞬時的寫入操作,成為存儲技術(shù)中獨一無二的存在。
在當(dāng)今的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中,Zynq平臺憑借其強大的處理能力和FPGA的靈活性,成為了眾多開發(fā)者的首選。而QSPI Flash作為Zynq平臺中常用的非易失性存儲設(shè)備,其分區(qū)設(shè)置與啟動配置對于系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能至關(guān)重要。本文將深入探討Zynq平臺下QSPI Flash的分區(qū)設(shè)置與啟動配置,從理論到實踐,為開發(fā)者提供全面的指導(dǎo)。
近在學(xué)習(xí)華大的HC32F460這個芯片,今天想說說我對QSPI的理解。
MCU同外部設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸有兩種方式,一種是并行數(shù)據(jù)傳輸方式,另一種是串行數(shù)據(jù)傳輸方式。串行數(shù)據(jù)傳輸方式信號線少,協(xié)議簡單,在長距離、低速率的傳輸中得到廣泛應(yīng)用,常
如何從Flash啟動嵌入式系統(tǒng)以Arty A7開發(fā)板為例手把手教你實現(xiàn)在諸多關(guān)于MicroBlaze軟核處理器的例程中,往往都是使用JTAG下載然后借助SDK執(zhí)行程序代碼。然而無論是在項目展