RF性能

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  • pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

    假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。