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分析SiC器件的成本競(jìng)爭(zhēng)力，第四部分
目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此，展望未來(lái)，重點(diǎn)將放在開發(fā)用于擴(kuò)大碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)上。有分析認(rèn)為，未來(lái)未來(lái)，碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場(chǎng)的很大一部分，很大一部分，可以說(shuō)是電動(dòng)汽車。那么，我們?nèi)绾慰创徒档统杀镜募夹g(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)這些市場(chǎng)滲透尤為重要。那么，高價(jià)格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施來(lái)為下一個(gè)市場(chǎng)未來(lái)降低價(jià)格?
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分析SiC器件的成本競(jìng)爭(zhēng)力，第二部分
如我們所知，目前增長(zhǎng)最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強(qiáng)調(diào)了一些為電動(dòng)汽車提供模塊的長(zhǎng)期合同。
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分析SiC器件的成本競(jìng)爭(zhēng)力，第一部分
在多個(gè)能源行業(yè)中，碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴(kuò)展以提供高效，而碳化硅 (SiC) 正在多個(gè)能源行業(yè)擴(kuò)展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動(dòng)汽車和新能源等領(lǐng)域的重要性，許多公司正在評(píng)估和投資晶圓技術(shù)。在華威大學(xué) SiC 功率器件教授兼 PGC 咨詢公司創(chuàng)始人 Peter Gammon 的訪談中，我們將探討 SiC 的成本和技術(shù)。
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關(guān)于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中的SiC器件的性能，你了解嗎？
隨著社會(huì)的快速發(fā)展，我們的碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管也在快速發(fā)展，那么你知道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管的詳細(xì)資料解析嗎?接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家來(lái)詳細(xì)地了解有關(guān)的知識(shí)。
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提供4引腳封裝（TO-247-4L）型款的碳化硅MOSFET器件
在生活中，你可能接觸過(guò)各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的**，那么接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)碳化硅MOSFET器件。
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所有SiC器件都符合車規(guī)，安森美半導(dǎo)體在下一盤什么棋？
點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！1999年從摩托羅拉分拆出來(lái)，分拆初時(shí)，它只擁有一大堆4英寸的小廠，兩座6英寸工廠。 此后20年間，它經(jīng)過(guò)一系列并購(gòu)不斷發(fā)展壯大，漸漸成為如今位列前20名集成器件制造商。尤其是在功率半導(dǎo)體這一細(xì)分領(lǐng)域，它...
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羅姆半導(dǎo)體：SiC器件應(yīng)用走熱 撬動(dòng)新能源及汽車電子市場(chǎng)
由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)（尤其是軍工）中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新
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SiC器件終迎春天
在經(jīng)過(guò)多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來(lái)了春天。
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基于SiC器件的高效E類功率放大器
1 引言近年來(lái)各種通信技術(shù)迅猛發(fā)展，如何提高通信系統(tǒng)的效率成為重要的研究課題。射頻功率放大器是通信系統(tǒng)中消耗功率最多的器件，尤其在無(wú)線通信基站和衛(wèi)星通信等應(yīng)用領(lǐng)域
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2015年后SiC器件有望大規(guī)模商用 UPS成最大應(yīng)用市場(chǎng)
【導(dǎo)讀】分析人士認(rèn)為，隨著產(chǎn)品價(jià)格降低，SiC器件市場(chǎng)有望在2015年發(fā)力成長(zhǎng)。 摘要： 分析人士認(rèn)為，隨著產(chǎn)品價(jià)格降低，SiC器件市場(chǎng)有望在2015年發(fā)力成長(zhǎng)。關(guān)鍵字： SiC功率器件，飛兆半導(dǎo)體， 盡管SiC功率器件
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電裝等展出世界最高品質(zhì)的6英寸SiC基板
電裝、豐田中央研究所、昭和電工在于東京有明國(guó)際會(huì)展中心舉行的“nano tech 2013”（第12屆國(guó)際納米技術(shù)綜合展）上，展出了共同開發(fā)的口徑為6英寸的SiC基板。該基板的特點(diǎn)在于位錯(cuò)（缺陷）密度為數(shù)千個(gè)/cm2，“比市
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羅姆開發(fā)出可在高溫條件下工作的壓鑄模類型SiC功率模塊
21ic訊 羅姆株式會(huì)社日前面向EV/HEV車（電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車）和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃
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可編程ASIC器件主從式結(jié)構(gòu)開發(fā)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
1 引言當(dāng)前在EDA領(lǐng)域，只要具備臺(tái)式或筆記本電腦并裝有工具軟件，就可以方便地對(duì)可編程ASIC（CPLD/FPGA）進(jìn)行設(shè)計(jì)開發(fā)，在系統(tǒng)可編程（ISP）器件為我們提供了這種便利條件。ISP方式雖然可以用一根下載電纜代替了編程
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可編程ASIC器件主從式結(jié)構(gòu)開發(fā)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
可編程ASIC器件主從式結(jié)構(gòu)開發(fā)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
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即將普及的碳化硅器件
隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。據(jù)統(tǒng)計(jì)，60%至70%的電能是在低能耗系
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