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ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67%，有助于以更高的性價比進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備功耗
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安森美半導(dǎo)體的寬禁帶方案、技術(shù)及仿真工具優(yōu)化并加快您的設(shè)計(jì)
據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS，從2016年到2027年SiC和GaN應(yīng)用將激增，包括電動/混動汽車及充電樁基礎(chǔ)設(shè)施、太陽能逆變器、電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、不間斷電源(UPS)、軍事/航空等應(yīng)用領(lǐng)域，其中電動/混動汽車、太陽能逆變器、電源將是主要的應(yīng)用市場。
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美高森美新型30 kW三相Vienna PFC參考設(shè)計(jì)充分利用SiC二極管和MOSFET器件以提供高性能
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二極管和MOSFET器件的全新可擴(kuò)展30 kW三相Vienna功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)鋮⒖荚O(shè)計(jì)。這款可擴(kuò)展的用戶友好解決方案由美高森美與北卡羅萊納州立大學(xué)(NCSU)合作開發(fā)，非常適合快速電動車(EV)充電和其它大功率汽車和工業(yè)應(yīng)用;此外，它亦可通過美高森美功能強(qiáng)大的SiC MOSFET和二極管，為客戶提供更高
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SiC器件終迎春天
在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
