SiC MOSFET

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  • 基于變壓器的 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

    本文將介紹一種用于 3.3kV SiC MOSFET的基于變壓器的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。兩個(gè) VHF 調(diào)制諧振反激式轉(zhuǎn)換器，工作頻率為 20 MHz，可生成 PWM 信號(hào)和柵極驅(qū)動(dòng)功率。

  • 如何正確的使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET

    如果不能在高速下提供正確的電壓，則 SiC 器件必然會(huì)發(fā)生故障，從而導(dǎo)致發(fā)熱和效率低下。使用的 MOSFET 是UnitedSiC UF3C065080T3S模型，包含在 TO-220 封裝中以及測(cè)試方案。

  • ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。

  • 如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅(qū)動(dòng)器的重要性

    碳化硅 (SiC) 是一種日益重要的半導(dǎo)體材料，未來(lái)它肯定會(huì)取代硅用于大功率應(yīng)用。為了更好地管理 SiC 器件，有必要?jiǎng)?chuàng)建一個(gè)足夠的驅(qū)動(dòng)程序，以保證其清晰的激活或停用。通常，要關(guān)閉它，“柵極”和“源極”之間需要大約 20 V 的電壓，而要打開它，需要大約 -5 V 的負(fù)電壓(地)，并且開關(guān)驅(qū)動(dòng)器必須非?？欤駝t會(huì)增加工作溫度、開關(guān)損耗和更大的電阻 Rds(on)。

  • 抗輻射功率器件：第 2 部分 WBG 器件和封裝選項(xiàng)

    在關(guān)于抗輻射功率器件的第 2 部分中，我們將探討 WBG 半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的一些優(yōu)勢(shì)，特別是 SiC MOSFET 和 GaN HEMT。還將總結(jié)一些包括低成本塑料產(chǎn)品的包裝選擇。

  • 英飛凌最新的 SiC MOSFET 產(chǎn)品組合

    PCIM Europe 2022 以一系列有趣的行業(yè)突破拉開帷幕，其中包括英飛凌最新的SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。這種新型 SiC MOSFET 芯片基于英飛凌最近發(fā)布的先進(jìn) M1H SiC MOSFET 技術(shù)。最近的進(jìn)步實(shí)現(xiàn)了更大的柵極電壓窗口，從而提高了芯片導(dǎo)通電阻。

  • S-MOS 單元技術(shù)提高了 SiC MOSFET 的效率

    初創(chuàng)公司mqSemi提出了一種適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元概念。S-MOS 概念已通過(guò)使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件的 3D-TCAD 模擬在 1200V SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了調(diào)整和實(shí)施。提供了全套靜態(tài)和動(dòng)態(tài)結(jié)果，用于比較 S-MOS 與采用平面和溝槽 MOS 單元設(shè)計(jì)的參考 SiC MOSFET 2D 結(jié)構(gòu)。

  • 羅姆第4代SiC MOSFET在電動(dòng)汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)

    近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負(fù)荷的目標(biāo)，需要進(jìn)一步普及下一代電動(dòng)汽車（xEV），從而推動(dòng)了更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)。尤其是在電動(dòng)汽車（EV）領(lǐng)域，為了延長(zhǎng)續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個(gè)重要課題。SiC（碳化硅）作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具備高電壓、大電流、高溫、高頻率和低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，業(yè)內(nèi)對(duì)碳化硅功率元器件在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用寄予厚望。

  • SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

    自舉式懸浮驅(qū)動(dòng)電路可以極大的簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)，只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動(dòng)與支持，與新能源相關(guān)的半導(dǎo)體芯片需求激増，導(dǎo)致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用是實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)的重要一環(huán)，碳化硅是應(yīng)用于綠色低碳領(lǐng)域的共用性技術(shù)，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過(guò)，SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si MOSFET到底有什么區(qū)別，替代時(shí)電路設(shè)計(jì)如何調(diào)整，是工程師非常關(guān)心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？》一文中已經(jīng)分享了負(fù)壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)常規(guī)自舉電路的注意事項(xiàng)。

  • SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？

    現(xiàn)代工業(yè)對(duì)電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對(duì)這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢(shì)開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點(diǎn)就是價(jià)格。但隨著良率的提升和采用更大尺寸的晶圓，SiC與Si之間的成本差距正在收窄，在整車系統(tǒng)總體成本反而有明顯的優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為越來(lái)越多的廠家的新選擇。