在太陽(yáng)能光伏(PV)和儲(chǔ)能應(yīng)用中,提高功率密度已經(jīng)成為一種趨勢(shì),另外我們還需要不斷提高效率。碳化硅(SiC)功率器件提供了這個(gè)問題的解決方案。SiC器件是寬帶隙器件,能夠在高于1000 V dc的電壓下工作,通常具有較低的漏源阻抗(RDSON)。SiC器件還能滿足降低導(dǎo)電性從而提高效率的需求。SiC器件還能達(dá)到高于100 kHz的快速開關(guān)速度,而且開關(guān)過程中的寄生電容和相關(guān)電荷也比較低。但它們也存在一些缺點(diǎn),包括要求柵極驅(qū)動(dòng)器具有大于100 kV/μs的較高共模瞬變抗擾度(CMTI)。另一個(gè)缺點(diǎn)是,SiC