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半導體C-V測量入門(2)
基本測試配置 圖3給出了一種基本的C-V測量配置框圖。由于C-V測量實際上是在交流頻率下進行的，因此待測器件（DUT）的電容可以根據(jù)下列公式計算得到： CDUT = IDUT / 2πfVac，其中 IDUT是通過D
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱——基于數(shù)字源表的準靜態(tài)電容測
在準靜態(tài)電容測量[1]中，我們通過測量電流和電荷來計算電容值。這種“斜率”方法使用簡單，但是它的頻率范圍有限（1～10Hz），因而只能用于一些特殊情況下。 SMU1-力常數(shù)SMU2-測量
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱—— C-V測量參數(shù)提取的局限性
在探討C-V測試系統(tǒng)的配置方法之前，了解半導體C-V測量技術(shù)[1]的局限性是很重要的： ·電容：從
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Keithley技術(shù)文獻：半導體C-V測量基礎(chǔ)
通用測試 電容-電壓（C-V）測試廣泛用于測量半導體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結(jié)型
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱—— C-V測量方法與應用的匹配
交流阻抗技術(shù)是最常用的電容測量技術(shù)[1]。它最適合于一般的低功率門電路，也適用于大多數(shù)測試結(jié)構(gòu)和大多數(shù)探針。其優(yōu)勢在于所需的設(shè)備相對便宜，大多數(shù)電子實驗室都可以直接找到。但是，它也有一些缺點
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半導體C-V測量入門(1)
普通測試 電容-電壓（C-V）測試廣泛用于測量半導體器件，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)的參數(shù)。但是，通過C-V測量還能夠?qū)芏嗥渌愋偷陌雽w器件和工藝進行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管（BJT）、JFET、
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱——C-V測量技術(shù)連接與校正 I
盡管很多C-V測量技術(shù)本身相對簡單，但是以一種能夠確保測量質(zhì)量的方式實現(xiàn)C-V測試儀與探針臺的連接卻不是那么簡單。目前探針臺使用的機械手和探針卡多種多樣，當我們試圖在一個探針臺上同時支持I-V、C-
