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我國碳基半導體領域取得關鍵
碳基集成電路技術被認為是最有可能取代硅基集成電路的未來信息技術之一?！?微米級碳納米管集成電路平臺工藝開發(fā)與應用研究”的驗收，標志著我國已經(jīng)正式進入碳基芯片領先的時代。碳基芯片橫空出世，中國芯片開啟彎道超車。
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CMOS技術成就未來消費和工業(yè)設備的視覺
CMOS成像傳感器采用全球快門技術，令成像器可捕捉到在快速動態(tài)場景中的圖像，不致令圖像模糊或彎曲。傳統(tǒng)的卷簾快門傳感器能逐行讀取圖像，因此若某個物體在幀內(nèi)移動，每行將在不同的位置讀取該物體，圖像看似彎曲、模糊或者失真。全局快門傳感器在讀取圖像進行處理前，能將整個圖像整合并復制到一個存儲區(qū)，確保圖像清晰。
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以CMOS技術實現(xiàn)的微型化毫米波傳感器
大多數(shù)商用雷達系統(tǒng)，特別是高級駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達系統(tǒng)，均基于鍺硅(SiGe)技術。目前的高端車輛都有一個多芯片SiGe雷達系統(tǒng)。雖然基于SiGe技術的77GHz汽車雷達系統(tǒng)滿足自適應巡航控制時的高速度要求，但它們體積過大、過于笨重，占用了大量電路板空間。
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芯片光傳輸突破瓶頸,頻寬密度增加10~50倍
整合光子與電子元件的半導體微晶片可加快資料傳輸速度、增進效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學柏克萊分校
