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如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（下）
在《如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）》中，我們討論了電流快速變化時(shí)一些負(fù)載的電容旁路要求。我們發(fā)現(xiàn)必須讓低等效串聯(lián)電感（ESL）電容器靠近負(fù)載，因?yàn)椴坏?.5 nH便可產(chǎn)生
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如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）
就許多中央處理器 （CPU） 而言，規(guī)范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流，特別是當(dāng)處理器變換工作模式的時(shí)候。例如，在 1V 的系統(tǒng)中，100 A/uS 負(fù)載瞬態(tài)可能會(huì)要
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高壓開關(guān)觸頭溫度實(shí)時(shí)無線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
0 引 言 高壓開關(guān)柜是發(fā)電廠和變電站的重要電器設(shè)備，其內(nèi)部通常有六組動(dòng)靜觸頭和多處母排接頭。由于這些連接部件長期處于高電壓、大電流的工作狀態(tài)，只要觸頭或接頭的
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