fd-soi工藝

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  • 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司將發(fā)展FD-SOI工藝

    中國(guó)的半導(dǎo)體制造工藝與海外先進(jìn)工藝尚存兩三代落差，國(guó)內(nèi)公司能量產(chǎn)的還是28nm工藝，三星、TSMC及Intel今年都要推10nm工藝了，不僅是制程工藝代差，這其中還存在著FinFET技術(shù)差距。目前中芯國(guó)際等公司還在追趕14nm FinFET工藝，但是國(guó)內(nèi)或許還有第二種技術(shù)路線——FD-SOI工藝。除了前不久落戶成都的GlobalFoundries晶圓廠使用22nm FD-SOI工藝之外，上海的華力微電子在攻關(guān)28nm及14nm FinFET工藝之外，二期晶圓廠也有可能采用FD-SOI工藝

  • 不只是14nm FinFET，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體公司還將發(fā)展FD-SOI工藝

    中國(guó)的半導(dǎo)體制造工藝與海外先進(jìn)工藝尚存兩三代落差，國(guó)內(nèi)公司能量產(chǎn)的還是28nm工藝，三星、TSMC及Intel今年都要推10nm工藝了，不僅是制程工藝代差，這其中還存在著FinFET技術(shù)差距。目前中芯國(guó)際等公司還在追趕14nm FinFET工藝，但是國(guó)內(nèi)或許還有第二種技術(shù)路線——FD-SOI工藝。