全球研究與咨詢公司Strategy Analytics日前發(fā)表了題為“功率放大器技術(shù)趨勢:2008-2013”的報(bào)告,指出開發(fā)用于手機(jī)的CMOS功率放大器的廠商越來越多。 該報(bào)告
在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對(duì)于從噪聲中析出信號(hào)十分關(guān)鍵??刂葡到y(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù),包括過濾和低溫冷卻,但低噪聲放大器的良好性能,提供了一種被實(shí)踐所驗(yàn)證的可
工程師們一般都把RF低噪聲放大器設(shè)計(jì)視為畏途。要在穩(wěn)定高增益情況下獲得低噪聲系數(shù)可能極具挑戰(zhàn)性,甚至使人畏懼。不過,采用最新的GaAs(砷化鎵)異質(zhì)結(jié)FET,可以設(shè)計(jì)出有高
0 引言PIN二極管廣泛應(yīng)用于限幅器、開關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較,PIN二極管具有插入損耗低、截止頻率高、功率容量大的特點(diǎn),特別適合于
PIN二極管廣泛應(yīng)用于限幅器、開關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較,PIN二極管具有插入損耗低、截止頻率高、功率容量大的特點(diǎn),特別適合于制作性能
MIT研究人員發(fā)現(xiàn)一種用于大規(guī)模生產(chǎn)昂貴電路的新型「復(fù)制/貼上」方法,在制造上覆石墨稀的「供體」晶圓后,采用「沉積-剝離」的方式,降低電路與下層晶圓的成本。