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  • 基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究

    NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關(guān)鍵時序參數(shù)，如tREA（讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間）和tBERS（塊擦除時間）等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍睿瓿蒒AND FLASH的時序配合，從而達到器件性能的測試要求。

  • 基于magnum II測試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測試技術(shù)研究

    摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細

  • 基于magnum II測試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測試技術(shù)研究

    VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細闡述了基于magnum II測試系統(tǒng)的測試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測試系統(tǒng)的APG及其他模塊實現(xiàn)對MRAM VDMR8M32進行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測試，全空間讀寫數(shù)據(jù)1，以棋盤格方式進行全空間讀寫測試。另外，針對MRAM的關(guān)鍵時序參數(shù)，如TAVQV（地址有效到數(shù)據(jù)有效的時間）、TELQV（片選使能到數(shù)據(jù)有效的時間）、TGLQV（輸出使能到輸出數(shù)據(jù)有效的時間）等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?，完成MRAM的時序配合，從而達到器件性能的測試要求。