mram技術(shù)

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能耗遠(yuǎn)低于 DRAM，英特爾已悄悄在產(chǎn)品中采用MRAM技術(shù)？

英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)現(xiàn)長達(dá) 10 年的記憶期，并可在超過 106 個(gè)開關(guān)周期內(nèi)實(shí)現(xiàn)持久性。并且英特爾在其 22 FFL 工藝中，描述 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋轉(zhuǎn)移力矩) 非易失性存儲(chǔ)的關(guān)鍵特性。英特爾稱之其為“首款基于 FinFET 的 MRAM 技術(shù)”。

智能硬件
2018-12-20

DRAM mram技術(shù) 英特爾
MRAM技術(shù)的硬盤容量只有1-2GB，但150萬IOPS隨機(jī)性能炸裂

在新一代存儲(chǔ)芯片技術(shù)中，MRAM被業(yè)界看好，因?yàn)樗瑫r(shí)具備SRAM的快速及非易失性閃存的特點(diǎn)，只不過目前的MRAM閃存大部分還處在研發(fā)階段，并沒有真正上市。

充電吧
2017-03-13

容量硬盤新鮮事 mram技術(shù)