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能耗遠低于 DRAM，英特爾已悄悄在產(chǎn)品中采用MRAM技術？
英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術可在200℃下實現(xiàn)長達 10 年的記憶期，并可在超過 106 個開關周期內(nèi)實現(xiàn)持久性。并且英特爾在其 22 FFL 工藝中，描述 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋轉(zhuǎn)移力矩) 非易失性存儲的關鍵特性。英特爾稱之其為“首款基于 FinFET 的 MRAM 技術”。
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MRAM技術的硬盤容量只有1-2GB，但150萬IOPS隨機性能炸裂
在新一代存儲芯片技術中，MRAM被業(yè)界看好，因為它同時具備SRAM的快速及非易失性閃存的特點，只不過目前的MRAM閃存大部分還處在研發(fā)階段，并沒有真正上市。
小軒窗
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