在工藝技術方面,臺積電宣布以N7+工藝節(jié)點投片客戶芯片,該工藝節(jié)點采用可處理4層掩膜的EUV。而其N5 EUV則可提高到處理多達14層掩膜,并將在明年4月準備好進行風險試產(chǎn)。通過EUV技術可望減少先進設計所需的掩膜數(shù),從而降低成本。
加入Vishay電子學習社,優(yōu)質資源限時免費放送
C 語言靈魂 指針 黃金十一講 之(11)
C語言專題精講篇\4.2.C語言位操作
朱老師教學之嵌入式linux C編程基礎
AVR單片機十日通(上)
內容不相關 內容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務 | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21IC電子網(wǎng) 2000- 版權所有
京公網(wǎng)安備 11010802024343號