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7納米以下FinFET接班人 IMEC看好GAA NWFET技術(shù)
比利時微電子(IMEC)在2016國際電子元件會議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路，其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極，使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等，且針對7納米以下技術(shù)候選人，IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體(GAA NWFET)會雀屏中選。 比利時微電子研究中心與全球許多半導(dǎo)體大廠、系統(tǒng)大廠均為先進(jìn)制程和創(chuàng)新技術(shù)
