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Qorvo采用全新GaAs工藝技術(shù)提高光帶寬
最新TQPHT09 90 nm pHEMT完全適用于下一代高頻放大器21ic訊 Qorvo, Inc.日前宣布推出一項(xiàng)全新的砷化鎵(GaAs)贗晶型高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬
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最新TQPHT09 90 nm pHEMT完全適用于下一代高頻放大器21ic訊 Qorvo, Inc.日前宣布推出一項(xiàng)全新的砷化鎵(GaAs)贗晶型高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬
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