v-nand快閃存儲器

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三星正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲器

據(jù)悉，第5代V-NAND快閃存儲器除了采用全新Toggle DDR 4.0傳輸界面提升速率之外，也進(jìn)一步強(qiáng)化性能和功耗，其工作電壓從1.8V降至1.2V，寫入速度也高達(dá)500us，比上一代V-NAND快閃存儲器提升了30%，而讀取速率的回應(yīng)時(shí)間也縮短到50us。

智能硬件
2018-07-17

三星存儲器 v-nand快閃存儲器

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