摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM),可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理,其次詳細
VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM),可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理,其次詳細闡述了基于magnum II測試系統(tǒng)的測試技術(shù)研究,提出了采用magnum II測試系統(tǒng)的APG及其他模塊實現(xiàn)對MRAM VDMR8M32進行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測試,全空間讀寫數(shù)據(jù)1,以棋盤格方式進行全空間讀寫測試。另外,針對MRAM的關(guān)鍵時序參數(shù),如TAVQV(地址有效到數(shù)據(jù)有效的時間)、TELQV(片選使能到數(shù)據(jù)有效的時間)、TGLQV(輸出使能到輸出數(shù)據(jù)有效的時間)等,使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍睿瓿蒑RAM的時序配合,從而達到器件性能的測試要求。