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基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究
摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)
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基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究
VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測(cè)試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。其中功能測(cè)試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測(cè)試，全空間讀寫數(shù)據(jù)1，以棋盤格方式進(jìn)行全空間讀寫測(cè)試。另外，針對(duì)MRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如TAVQV（地址有效到數(shù)據(jù)有效的時(shí)間）、TELQV（片選使能到數(shù)據(jù)有效的時(shí)間）、TGLQV（輸出使能到輸出數(shù)據(jù)有效的時(shí)間）等，使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成MRAM的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性能的測(cè)試要求。
