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[導讀]美高森美公司(Microsemi),該公司近日參加了在上海新國際博覽中心舉辦的某著名電子展。本次美高森美重點展示產(chǎn)品和解決方案系列包括:ZL70250 超低功率射頻(RF)收發(fā)器,用于太陽能/光伏逆變器的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),美高森

美高森美公司(Microsemi),該公司近日參加了在上海新國際博覽中心舉辦的某著名電子展。

本次美高森美重點展示產(chǎn)品和解決方案系列包括:ZL70250 超低功率射頻(RF)收發(fā)器,用于太陽能/光伏逆變器的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),美高森美新型單芯片多軸馬達控制套件演示,無凸緣 (Flangeless)VRF MOSFET和新型1200V IGBT系列和高可靠性瞬態(tài)電壓抑制(TVS)產(chǎn)品。

其中最引人注目的是用于開發(fā)下一代高電壓大功率系統(tǒng)的設(shè)計指南,這些系統(tǒng)以公司獨有的數(shù)字射頻(digital radio frequency, DRF)系列混合模塊為基礎(chǔ),廣泛應(yīng)用于半導體加工、LCD玻璃涂層、太陽能電池生產(chǎn)、光學器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發(fā)、MRI RF放大器、RF手術(shù)刀和感應(yīng)加熱等系統(tǒng)中。這些模塊將RF驅(qū)動IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中,能夠以高達40 MHz的頻率發(fā)送1 ~ 3kW功率。設(shè)計指南還為系統(tǒng)開發(fā)人員提供了包括元器件選擇、匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計、優(yōu)化輸出功率、效率最大化、散熱設(shè)計等各種RF設(shè)計技巧,并針對構(gòu)建完整的RF發(fā)生器所需的電路拓撲提供具體建議。

美高森美MOSRF產(chǎn)品部營銷總監(jiān)Glenn Wright表示:“我們的DRF系列產(chǎn)品同傳統(tǒng)的低壓RF系統(tǒng)相比具有更加突出的技術(shù)優(yōu)勢。這些優(yōu)勢體現(xiàn)在能夠解決復(fù)雜的設(shè)計難題,減小系統(tǒng)體積、提高功率密度和可靠性,并降低總體系統(tǒng)成本,適合各種工業(yè)、科學和醫(yī)學方面的應(yīng)用。”

美高森美DRF產(chǎn)品系列將最多兩個RF驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET及相關(guān)的退耦電容集成在單一封裝中。驅(qū)動器IC和MOSFET緊密接近,極大的降低了電路電感,同時可提供比分立元件解決方案更高的系統(tǒng)性能,以及實現(xiàn)多種電路配置和系統(tǒng)拓撲。該模塊專為提供連續(xù)的功率、 Class D和E與脈沖功率應(yīng)用而設(shè)計,僅需5V邏輯電平輸入信號,即可發(fā)射高達3kW的RF功率。新模塊采用美高森美獨特的無法蘭封裝技術(shù),成本比傳統(tǒng)替代解決方案更低,而且進一步改善系統(tǒng)性能。

美高森美現(xiàn)提供DRF產(chǎn)品系列的設(shè)計指南和其它開發(fā)工具和技術(shù)支持服務(wù),包括SPICE模型,參考設(shè)計工具套件和應(yīng)用說明。

現(xiàn)場展出的還有兩款全新的無磁性500W瞬態(tài)電壓抑制器(transient voltage suppressor, TVS)陣列,新產(chǎn)品專為核磁共振成像(MRI)設(shè)備而設(shè)計,能夠防止靜電放電、電快速瞬變和二次雷擊效應(yīng)引起的電路損壞。美高森美現(xiàn)可提供USBQNM504xx和USBQNM504xxC TVS陣列,這些產(chǎn)品均符合要求,并獲得一家主要的醫(yī)療設(shè)備制造商使用。

美高森美公司高可靠性產(chǎn)品部門營銷和業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁Simon Wainwright表示:“我們的高性能TVS陣列在封裝中使用非鐵性材料,因而適用于在強力磁性環(huán)境中運作的MRI設(shè)備和其它醫(yī)療設(shè)備。這一特性能夠提供額外保護,防止有害電壓尖刺損壞敏感的醫(yī)療設(shè)備中的數(shù)據(jù)并得出不準確的結(jié)果,對病患健康帶來不良的影響。”

USBQNM504xx和USBQNM504xxC TVS陣列分別保護單向和雙向線路,新的環(huán)保無鹵素產(chǎn)品采用非鐵性四方扁平無鉛143腳金屬引線框架封裝,其符合RoHS標準的“綠色”外殼也與SOT-143封裝引腳兼容。其它特性包括:8/20μs脈沖條件下額定功率峰值500W,符合IEC 61000-4-2靜電放電ESD保護,IEC 61000-4-4電氣快速瞬變(EFT) ,以及二次雷擊效應(yīng)規(guī)范,用于敏感電路(包括TTL、CMOS、DRAM、SRAM、HCMOS、HSIC微處理器,以及USB和I/O收發(fā)器)的板級保護功能。這套解決方案包括Microsemi的SmartFusion?評估套件和TRINAMIC的馬達控制子板(daughter board)套件。

Microsemi獲獎的SmartFusion可定制化系統(tǒng)單芯片(cSoC)結(jié)合了三個成功編譯復(fù)雜馬達控制算法的重要特性:嵌入式微控制器、可編程模擬模塊和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。這樣的整合方式可提供一個理想平臺,以分隔軟件和硬件架構(gòu)需求。SmartFusion的嵌入式ARM Cortex?-M3微控制器可作為系統(tǒng)層任務(wù)管理、算法執(zhí)行和系統(tǒng)連接性之用。板上可編程模擬模塊提供電壓、電流和溫度監(jiān)控的完整感知與控制功能。閃存式FPGA邏輯用來執(zhí)行硬件加速與數(shù)學協(xié)同處理。此外,運算/周期密集的算法程序(routine)可在FPGA內(nèi)由硬件實現(xiàn),能夠非??焖?、有效地執(zhí)行。

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