三星公布最新技術路線圖：7nm 規(guī)模量產、導入8nm LPU、引入GAAFET
[導讀]日前，三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇（SFF）2018年會，更新了技術路線圖。簡單來說，主要有三點，一是基于EUV技術的7nm制程工藝會在接下來幾個季度內大規(guī)模量產（初期EUV僅用于選擇層），二是導
日前，三星在日本舉辦了三星鑄造工廠論壇（SFF）2018年會，更新了技術路線圖。簡單來說，主要有三點，一是基于EUV技術的7nm制程工藝會在接下來幾個季度內大規(guī)模量產（初期EUV僅用于選擇層），二是導入8nm LPU工藝，三是重申，圍繞3nm節(jié)點，將引入閘極全環(huán)場效晶體管（Gate-all-aroundFET，GAAFET），來取代FinFET（鰭式場效應晶體管）。
三星晶圓廠分布
關于第一點，三星稱已經在韓國華城的S3工廠配置了多臺ASML Twinscan NXE:3400B EUV光刻機，投資6萬億韓元的新EUV產線預計2019年竣工，2020年擴大生產規(guī)模。
目前，官宣采用三星7nm LPP工藝的是高通驍龍5G SoC。
關于第二點，8nm LPU（low power ultimate）是8nm LPP的改良版，后者比10nm LPP減少10%的芯片面積和10%的功耗，看起來LPU將進一步在功耗、面積上做文章。
由于三星7nm LPP補充產能需要等到2020年，此間就是8nm在市場大展拳腳的契機。按照ZDNet的說法，高通也是三星8nm的客戶。
至于第三點，三星將FinFET技術的極限發(fā)揮到5nm LPE和4nm LPP，計劃2019年風險試產。不過到了3nm時代，芯片越做越小，電流信道寬度不斷變窄，難以控制電流方向，三星提出了GAAFET方案，定于2020年早些時候試產。
另外，三星還表示，2019年，單芯片封裝技術3D SiP將準備就緒。
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