長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking閃存獲年度技術(shù)突破獎(jiǎng) 國(guó)產(chǎn)自主可控

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天宣布，在北京舉行的“2020中國(guó)IC風(fēng)云榜”上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司獲得了備受矚目的年度技術(shù)突破獎(jiǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京代表公司領(lǐng)獎(jiǎng)。

作為紫光集團(tuán)芯片板塊核心企業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過閃存基礎(chǔ)架構(gòu)和制造工藝的創(chuàng)新，成功打造了世界首款基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存。此款產(chǎn)品自2019年9月量產(chǎn)以來，已經(jīng)通過多項(xiàng)行業(yè)認(rèn)證，并進(jìn)入主流客戶供應(yīng)鏈，得到了市場(chǎng)的認(rèn)可。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)之前的消息，2019年9月份該公司量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)64層堆棧的3D閃存，采用了自研Xtacking架構(gòu)，核心容量256Gb。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度。

Xtacking可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。

相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術(shù)我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。

自2016年成立以來，長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為集3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，一直著力提供完整的存儲(chǔ)器解決方案，為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。