內(nèi)存/閃存產(chǎn)能過剩，三星電子、SK海力士、美光明年齊減產(chǎn)

這兩年，DRAM芯片和內(nèi)存條價格經(jīng)歷了一波瘋漲，如今已經(jīng)慢慢回歸理智，而在另一方面，NAND閃存產(chǎn)能一直很充裕，SSD固態(tài)硬盤的價格也是持續(xù)走低，性價比越來越高。

但是這對于內(nèi)存、閃存芯片廠商來說，并不是好消息，三星電子、SK海力士、美光三大巨頭就不約而同地要開始刻意控制產(chǎn)能了。

美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度財務電話會議上表示，當前DRAM內(nèi)存芯片市場查能過剩、庫存持續(xù)增加，導致價格下跌、拖累產(chǎn)業(yè)。

美光預計明年內(nèi)存芯片產(chǎn)能增幅為15％，低于此前預期的20％，NAND閃存芯片也只會增長35％，低于此前預計的35-40％。

為了解決供過于求的問題，美光計劃將明年全年的資本支出下調(diào)12.5億美元降至95億美元，以減少DRAM內(nèi)存、NAND閃存芯片產(chǎn)能。

不過產(chǎn)能調(diào)整需要時間，美光預計可能要明年下半年才會恢復供需平衡。

同時，三星、SK海力士也有類似的減產(chǎn)計劃，三星更是會增加晶圓代工市場份額，以彌補芯片降價帶來的損失。

市調(diào)機構(gòu)IC Insights預計，明年半導體行業(yè)的整體資本支出可能會比今年減少12％，其中三星、Intel、SK海力士、臺積電、美光三巨頭合計減少14％，其他減少約7％。

看這意思，內(nèi)存、固態(tài)硬盤的價格很可能會在明年年中前后出現(xiàn)反彈。