該產(chǎn)品是愛(ài)立信3E（增強(qiáng)性能、能量管理和最終用戶(hù)價(jià)值）產(chǎn)品線(xiàn)的產(chǎn)品之一，這系列的產(chǎn)品都有動(dòng)態(tài)性能優(yōu)化的能力。 BMR464采用了30.85mm×20.0mm×8.2mm的小型封裝；其輸入電壓為0.6～3.3V；在5Vin,3.3Vout半負(fù)載情況下的典型效率為97.2%；可通過(guò)PMBus進(jìn)行調(diào)試和測(cè)量；可以同步和相位擴(kuò)譜。其還具有在降低去耦電容情況下的非線(xiàn)性響應(yīng)；在電壓關(guān)斷下的輸出；過(guò)溫度保護(hù)；輸出短路和輸出過(guò)電壓保護(hù)；遠(yuǎn)程控制；通過(guò)管腳或PMBus進(jìn)行電壓設(shè)定；通過(guò)圖形用戶(hù)接口進(jìn)行高級(jí)調(diào)試。

FAN5400系列備有與開(kāi)關(guān)模式充電器相集成的5V，300mA升壓穩(wěn)壓器，并與充電器共用同一個(gè)電感，從而減少了外部元件數(shù)目。此外，充電器和升壓電路的開(kāi)關(guān)頻率均為3MHz，最大限度地減小了外部無(wú)源元件的體積和成本。FAN5400系列采用1.96mm×1.87mm、20凸塊、0.4mm間距CSP封裝。其充電參數(shù)和運(yùn)作模式可以經(jīng)由一個(gè)運(yùn)作速率高達(dá)3.4Mbps的I2C接口進(jìn)行編程，實(shí)現(xiàn)高靈活性。高達(dá)1.25A的最大充電電流能夠確保快速充電和高充電電壓精度(±0.5%@25℃)，從電池獲取更多“額外”能量，從而延長(zhǎng)電池壽命。FAN5400系列適用于一般手機(jī)、智能手機(jī)、平板電腦、無(wú)線(xiàn)寬帶熱點(diǎn)、數(shù)碼相機(jī)和便攜媒體/游戲播放器中的單節(jié)或雙節(jié)鋰離子電池充電。

IR347x和IR386x SupIRBuck®系列整合了高性能磁滯COT控制器和優(yōu)化的功率MOSFET，采用薄型4mm×5mm或5mm×6mm PQFN封裝，提供0.5V、1%精度內(nèi)部參考電壓，因而具有非常低和精確的輸出電壓可編程能力。新產(chǎn)品提供了豐富的特性，包括過(guò)熱保護(hù)、熱補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓和欠壓保護(hù)和預(yù)偏置啟動(dòng)等。 IR347x系列支持高達(dá)27V的輸入電壓，采用4x5mm和5x6mm PQFN封裝，負(fù)載范圍（6～15A）較寬，從而能夠輕松升級(jí)以便滿(mǎn)足最佳價(jià)格和性能要求。IR3863和IR3865采用4x5mm PQFN封裝，針對(duì)12V輸入應(yīng)用（如窄版VDC膝上型電腦）進(jìn)行了優(yōu)化，包括采用新發(fā)布的第二代Intel Core處理器系列的產(chǎn)品。

LT3748在5～100V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并驅(qū)動(dòng)一個(gè)外部N溝道功率MOSFET，從而非常適用于多種工業(yè)、醫(yī)療、電信、數(shù)據(jù)通信和汽車(chē)應(yīng)用。其以邊界模式工作，這是一種可變頻率電流模式控制開(kāi)關(guān)方法，在整個(gè)電壓、負(fù)載和溫度變化范圍內(nèi)可產(chǎn)生±5%的典型調(diào)節(jié)。與同類(lèi)連續(xù)傳導(dǎo)模式設(shè)計(jì)相比，邊界模式還允許使用較小的變壓器。其他特性：無(wú)須光隔離器、變壓器或第三繞組來(lái)實(shí)現(xiàn)反饋；驅(qū)動(dòng)外部N溝道功率MOSFET；電流模式控制；邊界模式工作；用兩個(gè)外部電阻器設(shè)定VOUT；采用現(xiàn)成有售的變壓器；可編程軟啟動(dòng)；可編程欠壓閉鎖；輸出電壓溫度補(bǔ)償。

MAX17710是一個(gè)用于充電和保護(hù)微存儲(chǔ)單元的完整體系。該IC可管理不規(guī)范，如能源采伐，輸出范圍是1μW～100mW的水平裝置的來(lái)源。該器件還包括一個(gè)從源收取高達(dá)0.75V(典型值)低電池升壓穩(wěn)壓器電路。內(nèi)部穩(wěn)壓器可保護(hù)細(xì)胞過(guò)度充電。 輸出電壓提供給目標(biāo)應(yīng)用程序的規(guī)管使用的3.3V，2.3V的，可選擇的電壓或1.8V高效可調(diào)低壓差(LDO)線(xiàn)性穩(wěn)壓器。輸出調(diào)節(jié)器工作，盡量減少電流流失的一個(gè)可選擇的高功率或低功率模式。內(nèi)部電壓保護(hù)防止過(guò)放電的電池。該裝置是在一個(gè)超薄可用，3mm×3mm×0.5mm的12引腳UTDFN封裝。

LMZ23610 SIMPLE SWITCHER易電源電源模塊是一款易于使用的降壓DC/DC解決方案，能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)10A的負(fù)載。該產(chǎn)品采用一種創(chuàng)新的封裝，增強(qiáng)了熱性能，并允許手工或機(jī)器焊接。并可以接受6V和36V之間的輸入電壓，其高精度的輸出電壓最低可至0.8V。只需要兩個(gè)外部電阻和三個(gè)外部電容，即可完成電源解決方案。而且是一個(gè)安全可靠而功能強(qiáng)大的設(shè)計(jì)，它具有以下保護(hù)功能，：熱關(guān)斷、輸入欠壓鎖定、輸出過(guò)壓保護(hù)，短路保護(hù)、輸出電流限制，并允許進(jìn)入預(yù)偏置輸出啟動(dòng)。SYNC輸入允許在350～600kHz的開(kāi)關(guān)頻率范圍內(nèi)同步。

NCP6132A/B針對(duì)符合英特爾IMVP-7及VR12規(guī)范的CPU進(jìn)行了優(yōu)化，結(jié)合了真正的差分電壓感測(cè)、差分電感DCR電流感測(cè)、輸入電壓前饋及自適應(yīng)電壓調(diào)節(jié)功能，為臺(tái)式機(jī)及筆記本CPU應(yīng)用提供精確的穩(wěn)壓電源。主要特性：內(nèi)集成了三個(gè)內(nèi)部MOSFET驅(qū)動(dòng)器；電流模式雙緣(Dual Edge)調(diào)制技術(shù)在出現(xiàn)瞬態(tài)負(fù)載時(shí)提供極快的初始響應(yīng)；包含相位交錯(cuò)特性；包含切相(phase shedding)特性；包含動(dòng)態(tài)參考、精確的總和(total summing)電流放大器、帶壓降前饋?zhàn)⑷氲臄?shù)模轉(zhuǎn)換器等特性(均是安森美半導(dǎo)體的專(zhuān)利技術(shù))，幫助提升CPU電源性能。

PV1040是針對(duì)便攜應(yīng)用設(shè)計(jì)的太陽(yáng)能電池充電器，采用能夠從太陽(yáng)能電池收集最大電能的最大功率點(diǎn)跟蹤系統(tǒng)（MPPT）創(chuàng)新技術(shù)，可連接少量的條狀太陽(yáng)能電池，為便攜醫(yī)療設(shè)備、手表、計(jì)算器、無(wú)線(xiàn)耳機(jī)、玩具或手機(jī)進(jìn)行充電。其主要特性：輸入電壓是0.3～5.5V；能效高達(dá)95%；協(xié)助系統(tǒng)級(jí)電源管理功能的關(guān)閉引腳；集成低損耗同步整流器和功率開(kāi)關(guān)；熱關(guān)斷保護(hù)電路，提高系統(tǒng)整體安全。

TPS82671以?xún)H6.7mm2的微小尺寸名符其實(shí)地成為業(yè)界最小型的集成型插件式電源解決方案，每平方毫米的電流可達(dá)90mA。該器件可在TI高度為1mm的全新MicroSiP封裝中高度整合所有外部組件，從而能夠顯著簡(jiǎn)化智能電話(huà)等600mA便攜式電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)工作。TPS82671工作時(shí)靜態(tài)電流非常低，僅為17μA，并能以2.3～4.8V的輸入電壓實(shí)現(xiàn)超過(guò)90%的電源效率。 6A、14.5V TPS84620可實(shí)現(xiàn)每立方英寸逾800W的電源密度，效率高達(dá)95%。該款集成型降壓解決方案可在同一器件中高度集成電感器與無(wú)源組件，而且最少只需要三個(gè)外部組件，能夠在不足200mm2的面積上實(shí)現(xiàn)完整的解決方案.

該MOSFET的電壓等級(jí)為4.5V，使許多設(shè)計(jì)者能夠在其系統(tǒng)中使用現(xiàn)有的給數(shù)字邏輯電路供電的5V電源軌，無(wú)須再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。其具有很低的導(dǎo)通電阻，以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)（FOM）。60V器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封裝。器件在制造過(guò)程中采用了一種新的硅技術(shù)，該技術(shù)使用了優(yōu)化的溝槽密度和特殊的柵極結(jié)構(gòu)。SiR662DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別比最接近的同檔次MOSFET分別低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。