21ic新聞大爆炸：三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3

1、三星電子量產(chǎn)20納米4Gb DDR3

三星電子近日宣布正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機(jī)，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制，創(chuàng)新性地研發(fā)出“改良版雙重照片曝光技術(shù)”和“超薄介電層成型技術(shù)”，開(kāi)創(chuàng)了內(nèi)存存儲(chǔ)器制造技術(shù)的新紀(jì)元。

新一代20納米DDR3 DRAM的生產(chǎn)率比25納米DDR3提高了30%以上，更比30納米級(jí)DDR3提高了超過(guò)一倍。同時(shí)，基于20納米的DDR3 DRAM模組的耗電量同比基于25納米的DDR3降低了25%，將為全球IT企業(yè)提供最優(yōu)質(zhì)的“超節(jié)能綠色I(xiàn)T方案”。

21ic編輯視點(diǎn)：三星電子一直是DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)，2013年第四季度，三星電子以48.9%的市場(chǎng)份額繼續(xù)領(lǐng)跑全球移動(dòng)DRAM市場(chǎng)。在智能手機(jī)和平板電腦的刺激下，超小型的DRAM的需求越來(lái)越大。三星電子正式量產(chǎn)世界最小型4Gb DDR3必能第一時(shí)間搶占市場(chǎng)。

2、三星PCB工廠遭大火 Galaxy S5或受影響

據(jù)外媒SamMobile報(bào)道，負(fù)責(zé)為Galaxy S5生產(chǎn)PCB電路板的一家工廠周日發(fā)生大火，這可能會(huì)影響這款旗艦的上市計(jì)劃。據(jù)稱(chēng)火災(zāi)發(fā)生在當(dāng)天早上7點(diǎn)，雖然消防人員迅速達(dá)到現(xiàn)場(chǎng)，然而大火仍花了6個(gè)小時(shí)才被撲滅。據(jù)稱(chēng)火災(zāi)引起的大火讓當(dāng)?shù)卣{(diào)用了80輛消防車(chē)，并有287名消防人士參與了此次的撲滅工作，初步估計(jì)造成的設(shè)備和零部件損失將高達(dá)10億美元。

21ic編輯視點(diǎn)：三星Galaxy S5定于4月11日在全球超過(guò)150個(gè)國(guó)家上市，很多用戶(hù)也做好了入手的準(zhǔn)備，但是在生產(chǎn)方面卻很不順利：先是指紋識(shí)別傳感器面臨產(chǎn)能不足，現(xiàn)在又碰到了工廠大火的麻煩。盡管三星并未表示會(huì)延遲Galaxy S5上市，不過(guò)該公司在找其他工廠提供PCB電路板資源。所以現(xiàn)在就斷定Galaxy S5是否延期發(fā)布還為時(shí)過(guò)早，我們只能希望它的上市不會(huì)遭延誤。

3、國(guó)產(chǎn)IGBT功率器件步入快速發(fā)展階段

據(jù)了解，國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)近年呈現(xiàn)出持續(xù)快速增長(zhǎng)的勢(shì)頭，預(yù)計(jì)至2013年末，國(guó)內(nèi)IGBT功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將近70億元人民幣，同比增長(zhǎng)大約15%左右;2013年至2015年，國(guó)內(nèi)IGBT功率器件市場(chǎng)規(guī)模的年均復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到18%左右。

與此同時(shí)，由于新型功率器件和集成控制器的大量涌現(xiàn)，以及電力電子轉(zhuǎn)換技術(shù)的不斷進(jìn)步，在各廠商對(duì)新型功率器件的迫切需求下，功率半導(dǎo)體器件正快速地向高溫、高頻、低功耗、高功率容量，以及智能化、系統(tǒng)化、高度集成方向發(fā)展，整體性能更適用于嚴(yán)酷的工業(yè)環(huán)境。對(duì)于國(guó)內(nèi)本土功率器件廠商來(lái)說(shuō)，由于意識(shí)到技術(shù)突破的重要性，國(guó)內(nèi)企業(yè)一直致力于實(shí)現(xiàn)尖端產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

21ic編輯視點(diǎn)：當(dāng)前，在日益嚴(yán)峻的環(huán)境問(wèn)題和能源消耗的壓力之下，綠色能源領(lǐng)域正成為世界各國(guó)的發(fā)展目標(biāo)，由此也帶動(dòng)了整個(gè)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，尤其是功率半導(dǎo)體核心器件——IGBT。在中國(guó)，為了適應(yīng)大環(huán)境的需求，扶持相關(guān)企業(yè)的健康發(fā)展，國(guó)家在新能源、節(jié)能環(huán)保方面也出臺(tái)一系列支持性的政策措施，在政府和市場(chǎng)的雙重推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體行業(yè)正面臨著重要的發(fā)展機(jī)遇。

4、國(guó)內(nèi)變頻器行業(yè)升溫 低壓變壓器仍為弱勢(shì)

近年來(lái)中國(guó)變頻器產(chǎn)品行業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值增長(zhǎng)迅速，在與國(guó)外知名變頻器品牌的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)中，國(guó)內(nèi)變頻器企業(yè)在鞏固中低壓變頻器市場(chǎng)地位的同時(shí)，更加速推進(jìn)高端化的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型，通過(guò)與變頻器用戶(hù)深入交流，應(yīng)用前沿技術(shù)，開(kāi)發(fā)生產(chǎn)令用戶(hù)滿意的高端變頻器產(chǎn)品。

雖然中國(guó)變頻器行業(yè)起步較晚，國(guó)產(chǎn)變頻器設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和品牌影響力等方面與國(guó)際品牌尚有差距，但國(guó)內(nèi)變頻器設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)并不甘于現(xiàn)狀。相反，國(guó)內(nèi)變頻器生產(chǎn)企業(yè)正視起步晚，技術(shù)差距這些弱勢(shì)。長(zhǎng)期摸索，整合資源通過(guò)點(diǎn)滴積累，實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，近年來(lái)bian，在國(guó)內(nèi)變頻器市場(chǎng)逐步取得了不錯(cuò)的成績(jī)。

21ic編輯視點(diǎn)：國(guó)內(nèi)變頻器設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)在市場(chǎng)份額上已經(jīng)超越進(jìn)口變頻器產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)變頻器企業(yè)正不斷縮小與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差距，通過(guò)技術(shù)攻關(guān)和質(zhì)量控制，在保證質(zhì)量的基礎(chǔ)上，確立了國(guó)產(chǎn)變頻器產(chǎn)品的本土化應(yīng)用競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，填補(bǔ)了變頻器產(chǎn)品的應(yīng)用空白。另一方面，國(guó)內(nèi)變頻器企業(yè)在鞏固中低壓變頻器市場(chǎng)地位的同時(shí)，應(yīng)加速推進(jìn)高端化的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型，通過(guò)與變頻器用戶(hù)深入交流，應(yīng)用前沿技術(shù)，開(kāi)發(fā)生產(chǎn)令用戶(hù)滿意的高端變頻器產(chǎn)品。

5、石墨烯落馬 世上最薄太陽(yáng)能電池研制完成

維也納技術(shù)大學(xué)的研究者們宣布他們開(kāi)發(fā)出了世界上最薄的太陽(yáng)能電池，材料并不是石墨烯，而是一種叫硒化鎢的新材料。這種材料能夠吸收光，因此適合用來(lái)制造太陽(yáng)能電池。整個(gè)結(jié)構(gòu)由一層鎢分子和夾著它的兩層硒分子組成。硒化鎢電池非常之薄，95%的光都能夠穿過(guò)它，意味著這5%以外的都有被轉(zhuǎn)化成電力的可能性，使得這種電池的效率非常高。研究小組認(rèn)為這種電池可以大量覆蓋在建筑物表面，不影響光照的情況下還能提供電力，可謂完美。

21ic編輯視點(diǎn)：對(duì)太陽(yáng)能電池而言，非常重要的一個(gè)參數(shù)是光電轉(zhuǎn)換效率。很顯然，純色的太陽(yáng)能電池吸收光的效率要比透明的高出不少。不過(guò)，有時(shí)候人們?yōu)榱俗非竺烙^，更愿意在建筑物上使用透明的太陽(yáng)能電池。這種太陽(yáng)能電池能滿足人們對(duì)美觀需求，同時(shí)電池的效率也非常之高。未來(lái)這種電池有望廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代建筑中。

6、Ciena推出新一代的WaveLogic光子芯片

近日消息， Ciena公司宣布為其WaveLogic光子芯片增加更多的網(wǎng)絡(luò)智能和業(yè)務(wù)自動(dòng)化功能。WaveLogic芯片在光子層面實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)智能，從而確?？梢园葱杼峁I(yè)務(wù)，進(jìn)而支持所謂的可調(diào)諧的SLA。Ciena為其WaveLogic芯片新增的功能包括升級(jí)其OneConnect智能控制面，在光子和OTN層提供更多的分布式智能;新增智能拉曼放大，實(shí)現(xiàn)拉曼放大的自動(dòng)部署，包括在自啟動(dòng)前自動(dòng)檢測(cè)光纖的條件，從而實(shí)現(xiàn)即插即拔;新的PinPoint特性實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的OTDR測(cè)試。

21ic編輯視點(diǎn)：光子集成技術(shù)是光纖通信最前沿，最有前途的領(lǐng)域，它是滿足未來(lái)網(wǎng)絡(luò)帶寬需求的最好辦法。光子集成芯片比傳統(tǒng)的分立CEO(光電子)處理降低了成本和復(fù)雜性，帶來(lái)的好處是以更低的成本構(gòu)建一個(gè)具有更多節(jié)點(diǎn)的全新網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。隨著Internet的普及，在未來(lái)的高速度、大容量信息網(wǎng)絡(luò)體系中，光子芯片必將成為主流。