半導(dǎo)體嚴(yán)重衰退之年，Soitec何以實(shí)現(xiàn)飛速增長?
根據(jù)集邦科技發(fā)布的報(bào)告，2019年全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值將下滑13%，創(chuàng)下10年來最嚴(yán)重的衰退。在整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)都不太理想的大背景下，有一家企業(yè)卻如一匹黑馬，憑借SOI優(yōu)化襯底技術(shù)一騎絕塵，實(shí)現(xiàn)了30%的業(yè)務(wù)增長，它就是Soitec。年末歲尾之際，Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas Piliszczuk接受了21ic的采訪，揭示其背后的成功之道，也闡釋了半導(dǎo)體行業(yè)未來發(fā)展的熱點(diǎn)趨勢。
Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas Piliszczuk
Thomas Piliszczuk介紹說，2019年對于Soitec來說是非常向上的一年，幾周之前，Soitec發(fā)布的最新財(cái)報(bào)顯示2020年上半財(cái)年比2019上半財(cái)年實(shí)現(xiàn)了30%的增長，相比其他同行，Soitec呈現(xiàn)出了一種更強(qiáng)勁的發(fā)展勢頭。
至于Soitec成功背后的首要原因，Thomas Piliszczuk指出，“擴(kuò)展產(chǎn)品組合至使用新型半導(dǎo)體材料的優(yōu)化襯底是我們的重要戰(zhàn)略。除了GaN、POI和復(fù)合材料如硅基銦氮化鎵，Soitec還在研究碳化硅材料的機(jī)會，以滿足新市場的需求。”
據(jù)了解，Soitec是全球優(yōu)化襯底最大的制造商，憑借其兩個(gè)核心技術(shù)Smart CutTM和Smart StackingTM，Soitec為行業(yè)提供創(chuàng)新的材料及優(yōu)化襯底設(shè)計(jì)。在RF-SOI產(chǎn)品上，Soitec引領(lǐng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，其RF-SOI產(chǎn)品正應(yīng)用于全球所有品牌的智能手機(jī)中，以及5G時(shí)代相關(guān)產(chǎn)品中，另外，Soitec的FD-SOI產(chǎn)品系列可將數(shù)字、模擬、射頻和高壓等多種功能集成到單個(gè)片上系統(tǒng)中(SoC)，是汽車、物聯(lián)網(wǎng)市場的理想選擇。
RF-SOI和FD-SOI之外，Soitec還開發(fā)出了Power-SOI 、Photonics-SOI、 Imager-SOI等多種產(chǎn)品，可應(yīng)用于汽車、工業(yè)系統(tǒng)高功率器件，數(shù)據(jù)中心光學(xué)數(shù)據(jù)收發(fā)、圖像傳感器等產(chǎn)品中。
除了硅基的SOI產(chǎn)品，Soitec還將這種優(yōu)化襯底技術(shù)擴(kuò)展到更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，例如化合物半導(dǎo)體的氮化鎵、碳化硅等材料上。
2019年5月，Soitec收購氮化鎵(GaN)外延硅片供應(yīng)商——EpiGaNnv，將氮化鎵納入其優(yōu)化襯底產(chǎn)品組合。完成此次收購后，Soitec將可滲透到指向功率放大器(PA)的sub-6GHz基站市場。
Thomas Piliszczuk特別強(qiáng)調(diào)：“我們最大的一個(gè)突破或者最主要的成功原因是將產(chǎn)品應(yīng)用在智能手機(jī)上，5G時(shí)代的發(fā)展是我們業(yè)務(wù)最強(qiáng)勁的一個(gè)驅(qū)動力”。
Thomas Piliszczuk解釋說，4G手機(jī)到5G手機(jī)的轉(zhuǎn)型當(dāng)中，智能手機(jī)對于RF-SOI的需求，根據(jù)手機(jī)設(shè)備不同可增長20%至90%，這給Soitec的RF-SOI產(chǎn)品提供了一個(gè)巨大的市場。
最近，Soitec宣布與應(yīng)用材料公司啟動聯(lián)合項(xiàng)目，展開對新一代碳化硅襯底的研發(fā)。Thomas Piliszczuk在介紹這方面的計(jì)劃和進(jìn)展時(shí)指出，該合作項(xiàng)目可以解決目前碳化硅在供應(yīng)量、良率、成本等方面的問題。
Soitec員工手里拿著的是一片用Smart CutTM技術(shù)切割的碳化硅晶圓片
Thomas Piliszczuk透露，使用Soitec核心技術(shù)Smart CutTM將碳化硅晶圓體進(jìn)行精準(zhǔn)切割成超薄單晶碳化硅層，再將切割后的超薄單晶碳化硅層放置在其他材料之上，從而形成一個(gè)全新的結(jié)構(gòu)，這種復(fù)合結(jié)構(gòu)的碳化硅與純的碳化硅材料相比具有同樣甚至更好的電氣性能。這樣，通過切割碳化硅晶圓成10個(gè)或更多超薄單晶碳化硅層，一個(gè)碳化硅晶圓就可以制作出10個(gè)或更多碳化硅產(chǎn)品，大大提高了生產(chǎn)率，也解決了成本高的問題。
在談及中國市場的營收表現(xiàn)時(shí)，Thomas Piliszczuk透露，目前Soitec在中國市場的直接業(yè)務(wù)，即Soitec直接將產(chǎn)品銷售到中國的代工廠的營收還比較有限，但在中國的間接業(yè)務(wù)發(fā)展非常鼎盛，強(qiáng)大的需求主要來自中國的無晶圓廠，例如：華為海思半導(dǎo)體，紫光展銳、福州瑞芯微電子(RockChip)等，需求量很大。
展望2020年，Thomas Piliszczuk認(rèn)為Soitec重點(diǎn)關(guān)注的應(yīng)用領(lǐng)域仍然是5G、AI、電動汽車等行業(yè)，中國是重點(diǎn)關(guān)注的關(guān)鍵市場之一，Soitec會加強(qiáng)和注重與產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的每一個(gè)客戶的緊密合作。除此之外，還將加強(qiáng)在中國市場的推廣，積極參與中國關(guān)鍵大型項(xiàng)目。
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