飛兆：2013年SiC市場將正式啟動(dòng)
“受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，目前阻礙SiC產(chǎn)品大規(guī)模進(jìn)入市場的主要原因是價(jià)格昂貴，一般是同類Si產(chǎn)品的10倍左右。我個(gè)人認(rèn)為2013年SiC市場將正式啟動(dòng)，在未來2-3年SiC BJT器件有可能首先成為最先被市場接受的產(chǎn)品。在2015年左右SiC器件產(chǎn)品良率將會(huì)大幅度提升，價(jià)格也將下降，那時(shí)SiC產(chǎn)品可能會(huì)實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用。” 飛兆半導(dǎo)體 亞太區(qū)市場營銷副總裁藍(lán)建銅告訴21ic記者。
碳化硅（SiC）市場發(fā)展預(yù)測
重點(diǎn)發(fā)力新能源汽車
SiC作為一種新興的半導(dǎo)體材料，它的主要特性比傳統(tǒng)的Si材料優(yōu)越的多，具有寬帶隙(3x Si)、高擊穿電場(10x Si)、高導(dǎo)熱率 (3x Si)、高溫穩(wěn)定性 (3x Si)等優(yōu)良特點(diǎn)。在應(yīng)用在晶體管中時(shí)，可以讓晶體管具有更高的效率 (98%+)、更小的器件(>300 A/cm2)、速度更快的開關(guān)能力(<20 ns) 、穩(wěn)固可靠 (UIL, SCSOA)的特性。
藍(lán)建銅表示：“正是由于SiC具有如此優(yōu)良的特性，所以SiC器件可以廣泛應(yīng)用于提升能效的應(yīng)用環(huán)境，比如運(yùn)動(dòng)控制、HEV/EV（電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車）、可再生能源、電力電網(wǎng)等環(huán)境。飛兆已經(jīng)基于SiC材料開發(fā)出了SiC BJT，我們將重點(diǎn)關(guān)注HEV/EV市場，這也是飛兆第一個(gè)產(chǎn)品化的SiC產(chǎn)品。”
飛兆的SiC BJT解決方案具有以下的技術(shù)特性，首先是更高的功率密度。在相同或更低損耗下采用較高的開關(guān)頻率，能夠使用較小的電感、電容和散熱片器件；在提高輸出功率同時(shí)保持系統(tǒng)外形尺寸。其次是更低的系統(tǒng)成本，對于相同的硬件，通過減少損耗和提高功率密度，減小冷卻裝置或增加功率輸出。最后是易于使用。飛兆SiC BJT具有 RON正溫度系數(shù)、簡單的基極直接驅(qū)動(dòng)方案、縮短上市時(shí)間，實(shí)現(xiàn)簡便的系統(tǒng)移植。
下一步關(guān)注SiC BJT驅(qū)動(dòng)IC
“飛兆針對SiC BJT產(chǎn)品已經(jīng)有了一個(gè)完整的產(chǎn)品路線圖?，F(xiàn)在飛兆SiC BJT解決方案驅(qū)動(dòng)部分還是分立式的，下一步我們首先開發(fā)SiC BJT驅(qū)動(dòng)IC。SiC BJT驅(qū)動(dòng)器和其他以往同類器件有很大的不同，由于通過電流很大需要特需驅(qū)動(dòng)IC,所以飛兆有必要開發(fā)出專屬IC，防止EMC干擾。” 藍(lán)建銅介紹說。
飛兆SiC BJT 驅(qū)動(dòng)器規(guī)劃圖
在談到SiC產(chǎn)品整體發(fā)展趨勢時(shí)，藍(lán)建銅認(rèn)為，現(xiàn)在SiC產(chǎn)品大多數(shù)是基于4英寸的SiC晶圓進(jìn)行開發(fā)，不但良率低而且成本高昂，這會(huì)直接影響SiC市場表現(xiàn)。這種狀況應(yīng)該會(huì)在未來2-3年內(nèi)有所改變。未來2—3年6英寸SiC晶圓有可能會(huì)正式進(jìn)入生產(chǎn)序列，同時(shí)生產(chǎn)工藝也會(huì)得到改進(jìn)，這樣產(chǎn)品良率提升后，SiC產(chǎn)品成本可能會(huì)下降到現(xiàn)在的一半，降低和現(xiàn)有Si器件產(chǎn)品的價(jià)格差距，加速SiC市場發(fā)展。
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