臺(tái)積電財(cái)報(bào)超預(yù)期！5nm/7nm貢獻(xiàn)50%營(yíng)收，汽車(chē)訂單大幅增加

今日(1月13日)，臺(tái)積電公布了2021年四季度業(yè)績(jī)，報(bào)告期內(nèi)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4381億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)21.2%，凈利潤(rùn)1662億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)16.4%。2021全年?duì)I收1.58萬(wàn)億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)18.5%創(chuàng)新紀(jì)錄。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年一季度營(yíng)收在166億美元到172億美元之間，高于分析師預(yù)期。

據(jù)媒體報(bào)道，在電話會(huì)議上，總裁魏哲家表示，3nm制程開(kāi)發(fā)進(jìn)展符合預(yù)期，將于下半年量產(chǎn)。他還預(yù)計(jì)3nm將是5nm之后另一個(gè)大規(guī)模應(yīng)用的世代，襄助智能手機(jī)和高性能計(jì)算領(lǐng)域。

實(shí)際上，臺(tái)積電財(cái)報(bào)顯示，在整個(gè)2021年，7nm和5nm合計(jì)貢獻(xiàn)了公司半數(shù)營(yíng)收，可見(jiàn)客戶(hù)對(duì)先進(jìn)制程的熱烈追求?；氐脚_(tái)積電3nm，就目前的消息來(lái)看，蘋(píng)果A16或許不會(huì)首發(fā)甚至不會(huì)采用，3nm有可能被蘋(píng)果M2拿下或者Intel搶先一步爭(zhēng)奪到?？晒﹨⒖嫉牧硪粍t報(bào)道指出，臺(tái)積電甚至在新竹北部為Intel設(shè)立的專(zhuān)門(mén)的3nm生產(chǎn)基地。

在3nm節(jié)點(diǎn)，三星為了跟臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，激進(jìn)地選擇了下一代的GAA晶體管技術(shù)，臺(tái)積電方面更穩(wěn)妥一些，第一代3nm工藝依然在使用FinFET工藝，好處是今年下半年就可以量產(chǎn)。

在今天的財(cái)報(bào)會(huì)上，臺(tái)積電也解釋了他們的3nm工藝的進(jìn)展，強(qiáng)調(diào)3nm工藝發(fā)展順利，正按照計(jì)劃在下半年量產(chǎn)。

臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，3nm繼續(xù)使用FinFET晶體管是綜合考慮在，能提供給客戶(hù)最成熟的技術(shù)、最好的效能及最佳的成本。

據(jù)臺(tái)積電官方資料顯示，臺(tái)積電的3nm相比上一代的5nm工藝，在邏輯密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。

此外，臺(tái)積電也透漏了增強(qiáng)版的3nm工藝N3E，稱(chēng)它會(huì)在3nm工藝量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，也就是在2023年推出，會(huì)帶來(lái)更強(qiáng)的性能。

不過(guò)臺(tái)積電對(duì)N3E的技術(shù)細(xì)節(jié)還是保密，沒(méi)有透漏是否會(huì)升級(jí)晶體管架構(gòu)。

今天下午，臺(tái)積電召開(kāi)了2021年Q4財(cái)報(bào)的電話會(huì)議。

在這長(zhǎng)達(dá)一個(gè)半小時(shí)的會(huì)議中，除了超出市場(chǎng)預(yù)期的財(cái)報(bào)成果，臺(tái)積電提到了3nm量產(chǎn)，也提到了2nm制程……

財(cái)報(bào)超預(yù)期!5nm/7nm貢獻(xiàn)50%營(yíng)收，汽車(chē)訂單大幅增加

而在市場(chǎng)層面，臺(tái)積電這一季度的凈利潤(rùn)超出了預(yù)期。此前，接受標(biāo)普全球市場(chǎng)財(cái)智調(diào)查的分析師平均預(yù)計(jì)，臺(tái)積電第四季度凈利潤(rùn)為1611.2億新臺(tái)幣，而實(shí)際報(bào)告凈利潤(rùn)則高出了51.1億新臺(tái)幣。

接著來(lái)看各制程收入，收入最高的依舊是7nm，占據(jù)整體晶圓營(yíng)收的27%，緊跟其后的則是5nm，占比達(dá)到23%。換句話說(shuō)，先進(jìn)制程的收入已經(jīng)占據(jù)整體晶圓收入的50%。

3 納米制程將主要應(yīng)用于高效應(yīng)運(yùn)算及智能手機(jī)領(lǐng)域，預(yù)計(jì) 3 納米將是繼 5 納米之后，另一大規(guī)模世代制程。魏哲家表示，因應(yīng)影像傳感器及非揮發(fā)性記憶體等特殊制程強(qiáng)勁需求，臺(tái)積電將會(huì)在中國(guó)大陸、日本及中國(guó)臺(tái)灣擴(kuò)充 28 納米制程產(chǎn)能。

業(yè)界認(rèn)為，英特爾希望通過(guò)與臺(tái)積電合作來(lái)減小與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)差距。目前，蘋(píng)果、英偉達(dá)、AMD、高通等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手都有利用臺(tái)積電代工產(chǎn)品，蘋(píng)果芯片的性能甚至已經(jīng)在部分領(lǐng)域超越了英特爾 X86 芯片。

此外，英特爾 CEO 帕特基辛格(Pat Gelsinger)也在上個(gè)月訪問(wèn)了中國(guó)臺(tái)灣，并與臺(tái)積電高層舉行了會(huì)談。雖然雙方?jīng)]有公布談判結(jié)果，但知情人士稱(chēng)，英特爾堅(jiān)持要求臺(tái)積電為其分配單獨(dú)的生產(chǎn)線。

上個(gè)月，Digitimes 也曾報(bào)道稱(chēng)，英特爾將成為臺(tái)積電與蘋(píng)果并駕齊驅(qū)的第一個(gè) 3nm 客戶(hù)，領(lǐng)先于 AMD 等一眾資深老客戶(hù)。所以今年的產(chǎn)能只能分給這兩家，而高通、聯(lián)發(fā)科、博通、NVIDIA 與 AMD 等最快也要 2024 年才會(huì)開(kāi)始進(jìn)入 3nm 世代。

值得一提的是，去年 8 月曾有報(bào)道稱(chēng)，英特爾將領(lǐng)先蘋(píng)果公司半步，率先采用臺(tái)積電 3nm 制程，以此生產(chǎn) GPU 與服務(wù)器 CPU。該消息當(dāng)時(shí)稱(chēng)，量產(chǎn)將于 2022 年 7 月進(jìn)行，這也意味著英特爾有望成為臺(tái)積電 3nm 工藝的首批客戶(hù)。