3月22日消息，比利時微電子研究中心(imec)氮化鎵電力電子研究計劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平臺上，整合高性能肖特基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管(HEMT)的成功案例。該平臺以P型氮化鎵(GaN)HEMT制成，此次研發(fā)成功整合多個GaN元件，將能協(xié)助新一代芯片擴充功能與升級性能，推進GaN功率IC的全新發(fā)展。同時提供DC/DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器所需的開發(fā)動能，進一步縮小元件尺寸與提高運作效率。
雖然功率轉(zhuǎn)換普遍存在于電能從一種形式轉(zhuǎn)換成另一種形式的過程中，但它本質(zhì)上是一個有損耗的過程，會伴隨能量浪費——無論是手機充電器、筆記本電腦充電器、電動汽車傳動系統(tǒng)或充電器、電池組中的能量存儲和回收、可再生能源、運動控制還是機器人技術(shù)。與硅和碳化硅等傳統(tǒng)材料相比，氮化鎵功率半導(dǎo)體憑借其極為卓越的電能節(jié)約
今天，大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)由多個芯片組成?；?GaN 的器件在組裝到印刷電路板上之前作為分立元件組裝。這種方法的缺點是存在影響器件性能的寄生電感?！耙则?qū)動器為例，在單獨的芯片上帶有驅(qū)動器的分立晶體管受到驅(qū)動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關(guān)節(jié)點之間的寄生電感的影響。GaN HEMT 具有非常高的開關(guān)速度，當(dāng)寄生電感未被抑制時，這會導(dǎo)致振鈴(ringing)，即信號的不希望的振蕩。減少寄生效應(yīng)和利用 GaN 卓越開關(guān)速度的最佳方法是將驅(qū)動器和 HEMT 集成在同一芯片上，”來自IMEC的Stefaan Decoutere 解釋道?！巴瑫r，它減少了半橋中兩個晶體管之間的死區(qū)時間控制，其中一個晶體管必須在另一個晶體管打開時關(guān)閉。在這期間，電源和地之間存在短路，或死區(qū)時間。在芯片上集成所有組件將解決振鈴問題，減少死區(qū)時間，并最終提高轉(zhuǎn)換器的電源效率。”和系統(tǒng)尺寸/重量減輕能力，正迅速塑造價值數(shù)十億美元的功率半導(dǎo)體行業(yè)的現(xiàn)在和未來。
過去幾十年來，金屬氧半場效晶體管(MOSFET)與其他場效電晶體等矽基功率晶體管一直是電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的發(fā)展支柱，能將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)，或是將直流電從低壓轉(zhuǎn)為高壓，反之亦然。在探索具備更優(yōu)異開關(guān)性能的替代方案時，氮化鎵(GaN)在所有先進的候選材料中快速崛起。
氮化鎵或氮化鋁鎵(AlGaN)的復(fù)合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結(jié)合HEMT的晶體管結(jié)構(gòu)，就能打造新一代的元件與芯片，提升擊穿強度與開關(guān)速度，降低電導(dǎo)損耗(conductance loss)，縮小尺寸，勝過其他的半導(dǎo)體材料。
公開資料顯示，比利時微電子研究中心(Interuniversity Microelectronics Centre, IMEC)是一個科技研發(fā)中心，創(chuàng)辦于1984年，位于比利時王國弗拉芒區(qū)魯汶。 [1] 擁有來自全球近80個國家的4000名研究人員，是世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)和創(chuàng)新中心。作為全球知名的獨立公共研發(fā)平臺，IMEC是半導(dǎo)體業(yè)界的指標(biāo)性研發(fā)機構(gòu)，擁有全球先進的芯片研發(fā)技術(shù)和工藝，與美國的Intel和IBM并稱為全球微電子領(lǐng)域“3I”，與包括英特爾、三星、TSMC、高通、ARM等全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈巨頭有著廣泛合作。1984年，比利時微電子研究中心創(chuàng)辦，創(chuàng)始時只有70人。經(jīng)過30多年的發(fā)展，該中心成長為擁有來自近80個國家4000名研究人員、在納米電子和數(shù)字技術(shù)領(lǐng)域世界領(lǐng)先的研發(fā)和創(chuàng)新中心。該中心同中國企業(yè)的合作呈日益增長態(tài)勢，同中國的大學(xué)、研究機構(gòu)開展聯(lián)合研討和人才培訓(xùn)。中外合作的海外創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)基地在比利時落戶。
在國際形勢劇烈變化的背景下，致力于芯片業(yè)前沿技術(shù)研究的比利時微電子研究中心(以下簡稱IMEC)，正受到越來越多的關(guān)注。英特爾CEO在近期接受采訪時曾表示，歐洲有兩顆寶石，一個是ASML，擁有最先進的光刻技術(shù)，另一個是IMEC，有世界上最先進的半導(dǎo)體研究。歐盟委員會正在與IMEC商討建設(shè)本土芯片產(chǎn)能，曾有韓國的部長級代表團最近訪問該所，美國對其的關(guān)注也有增無減。在美國頻發(fā)“實體清單”的背景下，IMEC也聲稱遵守法令行事。
下載文檔
