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[導(dǎo)讀] 2022年6月30日,三星旗下的三星電子早上發(fā)布消息,該公司已經(jīng)開始3nm芯片的大批量生產(chǎn)。三星電子宣告,公司名為“3GAE”的3nm環(huán)繞式閘極制程技術(shù)進(jìn)展順利,并于今年的4月份推出該0.1版制程套件(PDK)。三星現(xiàn)在正在其3nm制程節(jié)點(diǎn)上導(dǎo)入GAA架構(gòu),專門用來克服FinFET架構(gòu)的實(shí)體微縮和性能限制。


2022年6月30日,三星旗下的三星電子早上發(fā)布消息,該公司已經(jīng)開始3nm芯片的大批量生產(chǎn)。三星電子宣告,公司名為“3GAE”的3nm環(huán)繞式閘極制程技術(shù)進(jìn)展順利,并于今年的4月份推出該0.1版制程套件(PDK)。三星現(xiàn)在正在其3nm制程節(jié)點(diǎn)上導(dǎo)入GAA架構(gòu),專門用來克服FinFET架構(gòu)的實(shí)體微縮和性能限制。

三星3nm工藝情況

3nm和5nm工藝相比,進(jìn)行優(yōu)化過后的3nm工藝的功耗可以降低45%,性能比直接提高了23%,表面積也已經(jīng)減小16%。3nm的的制程流片的技術(shù)操作的進(jìn)度是與新思科技一起合作的,加速GAA架構(gòu)的生產(chǎn)流程用來方便提供了高度優(yōu)化的參考放大,三星的制程流片工藝和臺積電或Intel的FinFET架構(gòu)完全不一樣,它應(yīng)用的是GAA 架構(gòu),所以三星必須要區(qū)別與其他的新設(shè)計(jì)和認(rèn)證工具,正因?yàn)檫@樣所以其選擇采用新思科技的FusionDesignPlatform。制程流片的技術(shù)的PDK早就已經(jīng)在2019年的5 月份發(fā)布,直到在2020 年通過制程技術(shù)的認(rèn)證?,F(xiàn)今預(yù)計(jì)這個流程會讓三星3納米GAA 結(jié)構(gòu)的制程技術(shù)用于高性能運(yùn)算(HPC),例如像5G,高階人工智能(AI)應(yīng)用芯片生產(chǎn)等一樣。

三星晶圓廠的高層曾經(jīng)說過,基于納米線的傳統(tǒng)GAA(GAAFET),是由于其有效通道寬度過小,所以才會需要更多的堆疊。除此之外,三星的多橋通道FET(MBCFET)技術(shù)采用納米片架構(gòu)用來增加強(qiáng)化閘極的控制,并且這又使得每個堆疊可以獲得更大的電流。

GAA架構(gòu)是周邊環(huán)繞著Gate的FinFET 架構(gòu)。按照一些專家的觀點(diǎn)來看,GAA架構(gòu)的晶體管擁有比FinFET更好的靜電特性,以及也更加可以滿足于某些柵極寬度的需求。這些主要表現(xiàn)在尺寸一致的結(jié)構(gòu)下,GAA對于溝道的掌控能力可以更加漂亮。他的尺寸同時可以進(jìn)一步微縮的可能性非常大。相比于傳統(tǒng)FinFET 溝道僅僅只有三面被柵極包圍,GAA有著更好的控制溝道的能力。

這種新型的納米片設(shè)計(jì)已被研究機(jī)構(gòu)IMEC當(dāng)作FinFET架構(gòu)后續(xù)的產(chǎn)品來進(jìn)行大量研究觀察,還要由IBM與三星和格羅方德一起來合作發(fā)展。三星指出,這項(xiàng)技術(shù)是擁有很多的高度可制造性,因此只需要利用約90%FinFET 制造技術(shù)與設(shè)備,要修改少量的光罩。除此之外,出色的柵極可控性比三星原本的FinFET技術(shù)的可控性要高31%,而且納米片通道的寬度可以直接改變圖像化,讓設(shè)計(jì)變得更有靈活性。

臺積電(TSMC)、英特爾Intel、中芯國際近期工藝情況

英特爾,今年的計(jì)劃是量產(chǎn)7nm,不過英特爾的7nm工藝叫做intel 4,從晶體管密度來看,大約與臺積電的5nm和三星3nm的水平相當(dāng)。也就是說明,臺積電、三星、英特爾都在向先進(jìn)工藝沖擊。

三星的勁敵-臺積電也表示過今年會生產(chǎn)3nm,然后在2023年會大規(guī)模生產(chǎn),也就是說今年肯定會進(jìn)入3nm。值得遺憾的是,臺積電的3nm制程節(jié)點(diǎn)采用的是FinFET晶體管結(jié)構(gòu),這意味著半導(dǎo)體公司將不需要采用新的EDA工具以及開發(fā)新IP。

在此之前臺積電在5nm和4nm一代之中一直站著主導(dǎo)地位,臺積電的業(yè)務(wù)開發(fā)副總張曉強(qiáng)之前有在技術(shù)論壇上發(fā)表透露,臺積電那邊認(rèn)為繼續(xù)采用FinFET的架構(gòu)來開發(fā)3納米制程流片,是最能幫助客戶取得成功的方案。臺積電方的預(yù)期,3納米功效相較5納米提升10%至15%,功耗可以減少25%至30%,邏輯密度增加了1.7倍,SRAM密度提升了1.2倍,類比密度則提升1.1倍等。目標(biāo)3納米量產(chǎn)初期,客戶產(chǎn)品量能達(dá)到5納米的兩倍以上,大量運(yùn)用于智慧機(jī)與高速運(yùn)算(HPC)平臺。

對臺積電而言,GAAFET依舊是未來發(fā)展路線。不僅僅只是N3的技術(shù)節(jié)點(diǎn),更甚至有N2 節(jié)點(diǎn)使用的GAA 架構(gòu)。現(xiàn)如今正在進(jìn)行的先進(jìn)材料與晶體管結(jié)構(gòu)的先導(dǎo)研究模式,還有CMOS研究,臺積電3納米技術(shù)和2納米技術(shù)的CMOS節(jié)點(diǎn)順利進(jìn)行研發(fā)中。臺積電還在加強(qiáng)先導(dǎo)性的研發(fā)工作,把重點(diǎn)放在2納米以外的節(jié)點(diǎn),包括以及3D 晶體管,新存儲器,low-R interconnect 等領(lǐng)域,并為許多技術(shù)平臺奠定了生產(chǎn)的基礎(chǔ)。臺積電還正在擴(kuò)大Fab 12的技術(shù)研發(fā)能力,目前Fab 12正在研究開發(fā)N3,N2乃至更高階的制程節(jié)點(diǎn)。

臺積電選擇在之前的3nm工藝?yán)^續(xù)使用FinFET技術(shù),做出這樣的決定是出于很多方面的考慮。首先是在相同的制程技術(shù)與制造流程下,無需使用變動太多的生產(chǎn)工具,就可以實(shí)現(xiàn)從FinFET快速切換到GAA,具有極其不錯的成本優(yōu)勢。特別是在先進(jìn)工藝晶圓的設(shè)計(jì)成本中,過高的花費(fèi)會讓客戶非常謹(jǐn)慎的選擇制造工藝。根據(jù)早前曝光的設(shè)計(jì)奮勇來看,5nm的晶圓開發(fā)費(fèi)用高達(dá)4.76億美元,3nm甚至2nm會更高。

相較于其他廠商的先進(jìn)技術(shù),中芯國際卻選擇28nm工藝,從2020年底開始,就先后在北京、深圳、上海3地?cái)U(kuò)產(chǎn)28nm工藝及以上的制程流片,并且給它們的投資超過了1200億元。首先這是對于中芯國際而言,目前中芯國際的制程流片工藝進(jìn)步到了14nm后,就難以再向前面的先進(jìn)技術(shù)發(fā)展了。原因是目前國外對于中芯對10nm及以下工藝設(shè)備的進(jìn)口進(jìn)行了管控,導(dǎo)致無法出口。并且現(xiàn)在的國產(chǎn)設(shè)備基本上都在28nm甚至更成熟的制程上,短時間內(nèi)也達(dá)不到10nm甚至更先進(jìn)。

其次,當(dāng)前全球最緊缺的就是成熟穩(wěn)定的工藝,其實(shí)從2020年底開始的全球缺少成熟穩(wěn)定的好芯片,最主要就是汽車芯片開始,嚴(yán)重缺少,尤其是在28nm及更成熟的工藝上表現(xiàn)更為緊需。所以中芯國際擴(kuò)大規(guī)模生產(chǎn)28nm及以上的成熟工藝,也是為了解決目前的對于芯片緊缺的需求,更何況現(xiàn)在的中芯國際基本上大部分的經(jīng)營收入的來源,就是28nm以上的成熟工藝,而其他芯片所貢獻(xiàn)的營收只占了其中的一小部分,所以對于中芯國際來說,28nm并不落后,還是相當(dāng)先進(jìn)的工藝,并且也十分成熟。

三星GAA與FinFET對比

GAAFET晶體管時代雖然即將到來,但FinFET仍舊會是主流。三星在2021年年初的IEEE國際固態(tài)電路的大會上,展示了制造3nm的技術(shù)中的一些小細(xì)節(jié),這其中有像全柵場效應(yīng)晶體管(GAAFET)結(jié)構(gòu)等,最先開啟了在先進(jìn)工藝上的技術(shù)架構(gòu)上的轉(zhuǎn)型。知名專做能源與電力的媒體eenews報(bào)道宣稱,三星工廠已經(jīng)流片采用環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm芯片,并且通過了納米片(Nanosheet)來制造出MBCFET(多橋通道場效應(yīng)管),這個可以明顯增強(qiáng)晶體管的性能,完全取代FinFET晶體管大部分的技術(shù)。

根據(jù)三星官方的數(shù)據(jù),和7nm FinFET制造工藝相比3nmGAA技術(shù)的邏輯層面的功能效率完全提高到了35%以上,功能損耗降低了50%,邏輯層面面積可以減少45%。三星的執(zhí)行副總裁兼代工銷售以及同時也擔(dān)任營銷主管Charlie Bae宣告,基于GAA結(jié)構(gòu)的下一代工藝節(jié)點(diǎn)(3nm)將會使三星可以領(lǐng)頭打開一個全新的智能互聯(lián)世界,同時加強(qiáng)技術(shù)領(lǐng)先地位。

GGA的中文名字叫做全環(huán)柵晶體管,它可以一直延續(xù)半導(dǎo)體技術(shù)的經(jīng)典“摩爾定律”新興的技術(shù)線路,來進(jìn)一步加強(qiáng)對柵極的控制能力,盡量克服當(dāng)前技術(shù)中的物理縮放比例以及性能限制。

在先進(jìn)制程的開發(fā)里進(jìn)行變更設(shè)計(jì),無論是更改使用的設(shè)計(jì)工具還是進(jìn)行驗(yàn)證以及測試的流程,都將會是使用很多的時間和經(jīng)濟(jì)成本,需要幫助客戶盡可能的降低生產(chǎn)的成本,維護(hù)客戶的利益。臺積電級別里最高的首席科學(xué)家-黃漢森曾經(jīng)說過,F(xiàn)inFET工藝的流程完全是從客戶的角度出發(fā)的,可以給客戶提供很大的便利,成熟的FinFET結(jié)構(gòu)產(chǎn)品性能一定是非常穩(wěn)定。

三星的晶圓廠計(jì)劃于2022年上半年開始量產(chǎn)其首批3nm芯片設(shè)計(jì),并從2023年開始批量生產(chǎn)下一代的3nm芯片。 三星技術(shù)計(jì)劃的下一步是使用MBCFET架構(gòu)的2nm來作為制程節(jié)點(diǎn); 該技術(shù)目前處于開發(fā)的早期階段,目標(biāo)是在2025年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

然而,三星高層指出,MBCFET架構(gòu)兼容于FinFET制程,這意味著工程師可以為這兩種技術(shù)采用相同的制造技術(shù)和設(shè)備。 而這也將有助于加速制程發(fā)展以及提升產(chǎn)能。

全球晶圓龍頭臺積電則預(yù)計(jì)將從2nm處理器節(jié)點(diǎn)中開始采用GAA FET技術(shù)。 因此,三星在市占率的方面依舊遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如于臺積電,盡管較臺灣晶圓代工大廠領(lǐng)先一代導(dǎo)入GAA技術(shù),但同時也承擔(dān)了巨大的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)。

三星已經(jīng)與合作伙伴共同開發(fā)原始設(shè)計(jì)工具,并在其2021年第五屆年度三星晶圓代工論壇中發(fā)布轉(zhuǎn)向基于GAA的3nm制程技術(shù)過渡的計(jì)劃。 這家韓國龍頭一向以注重于先進(jìn)制程技術(shù)并挑戰(zhàn)常規(guī)商業(yè)智慧而出名。 如今,非常期待看見三星的GAA技術(shù)賭注如何在與全球芯片代工龍頭的大型晶圓廠中的業(yè)務(wù)競爭中取得成果。


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