全球代工巨頭：3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，2nm會(huì)在2025年量產(chǎn)

今天的Q2財(cái)報(bào)會(huì)議上，臺(tái)積電除了公布當(dāng)季運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)之外，還談到了工藝進(jìn)展，確認(rèn)3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，2nm則會(huì)在2025年量產(chǎn)。目前HPC高性能計(jì)算占了臺(tái)積電營(yíng)收的重要部分，對(duì)先進(jìn)工藝要求也是很高的，臺(tái)積電的3nm工藝今年下半年量產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營(yíng)收，不過(guò)初期會(huì)拉低一些毛利率，大約2-3個(gè)點(diǎn)。

臺(tái)積電的3nm工藝共有5個(gè)衍生版本，包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E等等，會(huì)陸續(xù)在未來(lái)兩三年內(nèi)量產(chǎn)。

再往后就是2nm節(jié)點(diǎn)了，這是臺(tái)積電的有一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，會(huì)采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，也就是進(jìn)入GAA晶體管時(shí)代，不過(guò)三星在3nm節(jié)點(diǎn)就已經(jīng)采用這個(gè)技術(shù)了。

N2相較于N3，在相同功耗下，速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%，開(kāi)啟高效能新紀(jì)元。

不過(guò)密度方面擠牙膏了，相比3nm僅提升了10%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到摩爾定律密度翻倍的要求，比之前臺(tái)積電新工藝至少70%的密度提升也差遠(yuǎn)了。

根據(jù)臺(tái)積電的信息，2nm工藝將在2024年試產(chǎn)，2025年量產(chǎn)。

7 月 14 日消息，在今日舉行的財(cái)報(bào)電話會(huì)上，臺(tái)積電發(fā)布了 2 季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示第 2 季合并營(yíng)收約達(dá)新臺(tái)幣 5,341.4 億元(約人民幣 120.5 億元)，稅后凈利潤(rùn)約 2,370.3 億元(約人民幣 53.47 億元)。

臺(tái)積電表示，公司 2022 年銷售額(以美元計(jì)算)預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 30% 左右，并且今年產(chǎn)能不會(huì)受設(shè)備供應(yīng)延遲的影響。不過(guò)，目前客戶需求仍超過(guò)公司供應(yīng)能力，今年產(chǎn)能持續(xù)吃緊。對(duì)于芯片需求前景，臺(tái)積電稱 2023 年將出現(xiàn)一個(gè)典型的芯片需求下滑周期，但整體下滑程度將好于 2008 年。同時(shí)，公司預(yù)計(jì)客戶將開(kāi)始減少庫(kù)存，但目前高端智能手機(jī)庫(kù)存不太多。因此對(duì)于臺(tái)積電而言，2023 年依然是“增長(zhǎng)之年”。

此外，公司 2023 年的增長(zhǎng)將由先進(jìn)技術(shù)支撐，高性能計(jì)算(HPC)將成為長(zhǎng)期增長(zhǎng)的主要引擎。公司目前預(yù)計(jì) 2023 年產(chǎn)能利用率將保持良好。在下一代芯片投產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)方面，臺(tái)積電重申公司 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營(yíng)收。值得一提的是，臺(tái)積電的 3nm 工藝有眾多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，會(huì)陸續(xù)在未來(lái)兩三年內(nèi)量產(chǎn)。

對(duì)于 2nm 芯片(N2)，臺(tái)積電重申其將于 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2nm 芯片是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將會(huì)采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)，這意味著臺(tái)積電工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。其中，2nm 芯片相較于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。了解到，臺(tái)積電第二季度 5nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營(yíng)收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營(yíng)收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工藝營(yíng)收繼續(xù)提升，但還未超過(guò) 7nm 制程工藝帶來(lái)的營(yíng)收。此外，臺(tái)積電先進(jìn)制程 (7nm 及更先進(jìn)制程) 營(yíng)收總占比達(dá)到 51%，較前季的 50% 繼續(xù)擴(kuò)大。

三星已經(jīng)宣布成功量產(chǎn)3nm制程工藝，成為行業(yè)內(nèi)首個(gè)量產(chǎn)3nm制程的廠商，而且相比較5nm制程工藝，3nm制程工藝看起來(lái)更像是更新?lián)Q代的產(chǎn)品，性能平均提升20%，而功耗也將降低35%。

三星已經(jīng)宣布成功量產(chǎn)3nm制程工藝，成為行業(yè)內(nèi)首個(gè)量產(chǎn)3nm制程的廠商，而且相比較5nm制程工藝，3nm制程工藝看起來(lái)更像是更新?lián)Q代的產(chǎn)品，性能平均提升20%，而功耗也將降低35%。預(yù)計(jì)明年大家就可以看到三星全新的3nm制程工藝的產(chǎn)品了，當(dāng)然作為半導(dǎo)體代工行業(yè)數(shù)一數(shù)二的企業(yè)，三星在制程更新上也不會(huì)停下腳步，據(jù)悉在3nm制程之后，三星就將迎來(lái)2nm制程工藝，預(yù)計(jì)在2025年正式量產(chǎn)。

在Intel去年推出的IDM 2.0戰(zhàn)略中，在美國(guó)本土投資200億美元建設(shè)2座先進(jìn)工藝晶圓廠是非常關(guān)鍵的一環(huán)，前幾天傳出了跳票的消息，因?yàn)槊绹?guó)官方的520億美元芯片補(bǔ)貼法案還沒(méi)通過(guò)，不過(guò)現(xiàn)在消息稱Intel已經(jīng)得到了補(bǔ)貼，新工廠已經(jīng)開(kāi)工了。

據(jù)digitimes報(bào)道， 日前傳出Intel出正式購(gòu)得美國(guó)俄亥俄州新晶圓廠所需的土地， 這項(xiàng)投資金額高達(dá)200億美元。

雖然工廠開(kāi)工了，但是Intel的晶圓廠還有很多問(wèn)題，美國(guó)政府補(bǔ)助將決定建廠規(guī)模，此前Intel表示由于政府520億美元規(guī)模的芯片法案陷入停滯，他們不得不推遲或者削減在俄亥俄州的投資規(guī)模，甚至威脅去歐洲建廠。

根據(jù)Intel之前的信息，新建的兩座晶圓廠分別會(huì)命名為Fab 52、Fab 62， 并首次透露這些工廠將會(huì)在2024年量產(chǎn)20A工藝，這是Intel面向未來(lái)的CPU工藝，首次進(jìn)入后納米時(shí)代，首發(fā)埃米級(jí)工藝，其中的A就代表埃米。

臺(tái)積電表示，公司 2022 年銷售額(以美元計(jì)算)預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 30% 左右，并且今年產(chǎn)能不會(huì)受設(shè)備供應(yīng)延遲的影響。不過(guò)，目前客戶需求仍超過(guò)公司供應(yīng)能力，今年產(chǎn)能持續(xù)吃緊。

對(duì)于芯片需求前景，臺(tái)積電稱 2023 年將出現(xiàn)一個(gè)典型的芯片需求下滑周期，但整體下滑程度將好于 2008 年。同時(shí)，公司預(yù)計(jì)客戶將開(kāi)始減少庫(kù)存，但目前高端智能手機(jī)庫(kù)存不太多。因此對(duì)于臺(tái)積電而言，2023 年依然是“增長(zhǎng)之年”。

此外，公司 2023 年的增長(zhǎng)將由先進(jìn)技術(shù)支撐，高性能計(jì)算(HPC)將成為長(zhǎng)期增長(zhǎng)的主要引擎。公司目前預(yù)計(jì) 2023 年產(chǎn)能利用率將保持良好。

在下一代芯片投產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)方面，臺(tái)積電重申公司 3nm(N3)芯片將于今年下半年投產(chǎn)，明年上半年貢獻(xiàn)營(yíng)收。值得一提的是，臺(tái)積電的 3nm 工藝有眾多衍生版本，包括 N3、N3P、N3S、N3X、N3E，會(huì)陸續(xù)在未來(lái)兩三年內(nèi)量產(chǎn)。

對(duì)于 2nm 芯片(N2)，臺(tái)積電重申其將于 2025 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2nm 芯片是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，該工藝將會(huì)采用納米片晶體管(Nanosheet)，取代鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)，這意味著臺(tái)積電工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。其中，2nm 芯片相較于 3nm 芯片，在相同功耗下，速度快 10~15%。在相同速度下，功耗降低 25~30%。

IT之家了解到，臺(tái)積電第二季度 5nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營(yíng)收的 21%(前季 20%)，7nm 制程晶圓出貨量占據(jù)公司營(yíng)收的 30%(前季 30%)，本季度 5nm 制程工藝營(yíng)收繼續(xù)提升，但還未超過(guò) 7nm 制程工藝帶來(lái)的營(yíng)收。此外，臺(tái)積電先進(jìn)制程 (7nm 及更先進(jìn)制程) 營(yíng)收總占比達(dá)到 51%，較前季的 50% 繼續(xù)擴(kuò)大。